第6章磁场与成分参数测量传感器技巧.ppt

实用传感器技术教程;磁敏电阻传感器;磁场以及成分参数的测量在日常生活以及工业中占据重要的地位。磁场的测量主要是磁场强度以及磁场方向的测量，成分参数测量主要是指气体参数与湿度参数的测量。 在本章中，磁场主要是通过磁敏电阻器、集成磁场传感器、磁敏二极管和磁敏三极管进行测量的，而气体参数和湿度参数是通过气敏传感器和湿敏传感器进行测量的。 ;6.1 磁敏电阻传感器 ;6.1.1 磁敏传感器原理与结构 ;6.1.1 磁敏传感器原理与结构;6.1.1 磁敏传感器原理与结构;6.1.1 磁敏传感器原理与结构;6.1.2 磁敏电阻常用型号 ;6.1.2 磁敏电阻常用型号;发光二极管常用的材料与发光波长;4、激光器 激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一，具有高方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24μm到远红外整个光频波段范围。;所谓光电效应是指物体吸收了光能后把光能转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。 ; 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。; 根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。 根据能量守恒定理 式中 m—电子质量；v0—电子逸出速度。;光电子能否产生，取决于光电子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功，即每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率或波长限。光线频率低于红限频率，光子能量不足以使物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光，光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。;内光电效应又可分为以下两类：;7.3 光敏电阻; 1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管，是利???半导体光敏材料制成的一类光电器件，其作用原理基于光电导效应。当无光照时，光敏电阻具有极高的阻值；当光敏电阻受到一定波长范围的光照射时，其电阻阻值降低，光线越强，电阻值越低，当光照停止后，其电阻阻值在一段时间后恢复原值。;7.3 光敏电阻;光敏电阻外观符号及接线图 ; 2. 光敏电阻的主要参数 1）亮电阻：是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。 2）暗电阻：是指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。 3）最高工作电压：是指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压。 4）亮电流：是指在有光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。;; 3. 光敏电阻的基本特性 (1)在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。图7-3为硫化镉光敏电阻在不同照度下的伏安特性曲线。 ;图 7-3 硫化镉光敏电阻的伏安特性 ;;;图7-4 硫化镉光敏电阻的光照特性 ;;图7-5 光敏电阻的光谱特性 ; （4）频率特性 实验证明：光敏电阻的光电流不能随着光强的改变而立刻变化，称为光电驰豫现象，这是它的缺点之一。不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数（从几十毫秒到几百毫秒），因而它们的频率特性也各不相同。当光敏电阻在光照快速变化的场合应用时，要考虑其频率特性的影响。图7-6为硫化镉和硫化铅光敏电阻的频率特性，纵轴S表示相对灵敏度，从图中可以看出，硫化铅的使用频率范围相对较大。光敏电阻的响应时间除了与元件的材料有关，还与光照的强弱有关，光照越强，响应时间越短。;图7-6 光敏电阻的频率特性 ;;图 7-7 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 ;光敏电阻器的分类和常用型号;;常用光敏电阻器的命名规则及型号;常用光敏电阻器的命名规则及型号;光敏电阻器性能检测 ;光敏电阻器的应用 ;光敏电阻器的应用;光敏电阻器的应用;光敏电阻器的应用;;;光敏电阻特点及使用注意事项;光敏电阻特点及使用注意事项;光敏电阻特点及使用注意事项;7.4光敏晶体管;7.4.1 光敏晶体管结构和工作原理;;7.4.2 光敏晶体管参数和特性;;;;;;;;;图7-20 光敏晶体管的频率特性 ;;;7.4.3 常用光敏晶体管型号和参数;;;7.4.4 光敏晶体管好坏及引脚判断方法;;;;;7.4.5 光敏晶体管的应用;;;;7.4.6 光敏晶体管的特点及应用注意事项;7.5 光