《电工电子技术下册》课程期末复习概述.ppt

14.3 半导体二极管 1、结构：PN结+引线+外壳 2、符号 3、型号 见附录A，2AP、2CZ11D 注意：死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V，计算导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 齐纳（、掺杂多）4V以下 电击穿： 雪崩（宽、掺杂少）7V以上 1.4 稳压二极管 一、作用 与电阻配合使用起稳压作用。 二、符号 1、正向（与普通二极管一样） 2、反向 1）工作区 IZMin I IZMax 2）电击穿 3）曲线陡，ΔIZ变化大而ΔUZ变化小 4）符号 输出特性 1 “恒流”特性（UCE≥1V） 输出特性 3 三个工作区 1、符号 2、型号 2EF 1、符号 2、型号 2AU、2CU 1、符号 2、型号 3AU、3DU B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 测量电路 14.5.3 特性曲线 1、输入特性 IB ?A UBE V 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 2、输出特性 IC mA 1 2 3 4 UCE V 3 6 9 12 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC ?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC ?IB。 IC mA 1 2 3 4 UCE V 3 6 9 12 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IB IC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC mA 1 2 3 4 UCE V 3 6 9 12 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB 0,IC ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 2 D电流放大作用（ΔIC ΔIB） b 饱和区 a 截止区（ IB 0, UBE 死区 电压, UBE 0） 特点：E结反偏，C结反偏。 判别： UBE ≤0、UCE≈ UCC或IB 0 特点：E结正偏，C结正偏。 IC ≠ ? IB 判别： IB≥ UCC / ? RC，UCE?0V。 c 放大区 特点：E结正偏，C结反偏。 IC ? IB 判别： 0 IB UCC / ? RC 14.5.4 主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： ___ b 1.电流放大倍数 和 ? 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 例：UCE 6V时：IB 40?A, IC 1.5mA； IB 60 ?A, IC 2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 3.集-射极反向截止电流ICEO ?A ICEO Ec 集电结反偏有ICBO 根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流? ICBO。 ? ICBO B E C N N P ICBO ICEO 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 所以集电极电流应为：IC ? IB+ICEO 而ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 5.集-射极反向击穿电压U BR CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U BR CEO。 6.集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为： PC ICUCE 必定导致结温上升，所以PC有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE PCM ICM U BR CEO 安全工作区 14.6 光电器件 14.6.1 发光二极管 阳极 + 阴极 - 14.6.2 光电二极管 阳极 + 阴极 - 3、伏安特性 2 、加反向电压，简称反偏（ P区“-”， N区“+”） 结论：PN结截止，呈高阻性，所以电流小。 PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强， 扩散电流大大减小。此时 PN结