大功率半导体激光器及其应用详解.ppt

大功率半导体激光器及应用;概 述;一、激 光;1、激光的概念;原子和能级;光子的吸收;自发辐射;自发辐射的特点;受激辐射;2、产生激光的必要条件;3、激光的特点;4、激光器的种类;5、其它激光器;二、半导体激光器;激光二极管;1、半导体激光器的特性;2、半导体激光器的分类;3、 激光二极管工作原理;半导体物理基础知识;能带理论:晶体中原子能级分裂;能带中电子和空穴的分布;掺杂半导体- n型半导体(As-Si);掺杂半导体- p型半导体(B---Si);n型半导体和p型半导体能带图;光的受激辐射、自发辐射和吸收对应的跃迁;直接带隙和间接带隙半导体;直接带隙半导体能带图 ;半导体激光器的材料选择;3.1 半导体中的光增益;双异质结构激光二极管的结构;量子阱结构;单量子阱结构;多量子阱结构;量子阱作为有源区的几点优势 ;几种波长激光二极管的材料组份;3.2 光学谐振腔;3.2.1 垂直波导结构;垂直波导结构的设计;810nm外延结构图;3.2.2 横（侧）向波导;宽条形激光器;折射率导引激光器（Index guide LD）;弱折射率导引激光器;4. 发光效率;5、 制造技术;5.1 外延生长技术;MOCVD/MOVPE;MBE ;大功率半导体激光器对外延的要求 ; 5.2、器件工艺;光刻;介质膜的沉积 ;金属化;5.3、腔面镀膜;5.4、封装;芯片焊接技术;高效冷却技术;组装技术;6、半导体激光器光纤耦合技术;大功率半导体激光器的光束特点 ;光纤耦合技术;6.1 单光束耦合;6.1.1 直接耦合 ;耦合效率理论计算曲线 ;（2） 光纤微透镜直接耦合 ;典型的透镜光纤耦合系统 ;透镜光纤的加工方法;研磨法加工的光纤微透镜实例;6.1.2 间接耦合;（1）微柱透镜的光纤耦合 ;（2）自聚焦透镜光纤耦合;（3）双曲面微透镜的光纤耦合 ;双曲面透镜耦合原理;（4）组合透镜光纤耦合;各种耦合方法的比较;6.2 多光束光纤耦合技术;6.2.1 基于激光二极管列阵的多光束耦合;（1）光纤列阵耦合方法 ;特 点;（2）微光学系统耦合方法 ;常用耦合方法 ;光纤耦合微透镜光学组件;微棱镜列阵耦合 ;阶梯式微型反射镜耦合 ;特 点;高功率光纤耦合模块;6.2.2 基于多只单管串联的多光束耦合技术;多光束合束方式;半导体激光器多束合成示意图;三、大功率半导体激光器研究进展;国内外现状;1、激光二极管芯片技术;2、远场发散角控制技术;3、高温特性;The Lasertel Company has presented the development of high-temperature 8xx-nm diode laser bars for diode laser long-pulse (10 milliseconds) pumping within a high-temperature (130 oC)environment without any cooling.( Fan et al., 2011);4、标准Bar条阵列发展现状;制约因素;5、单元器件发展现状;6、短阵列器件发展现状;7、高亮度光纤耦合模块;7.1 半导体激光单元器件集成光纤耦合输出;7.2 短阵列器件集成光纤耦合输出;7.3 微通道热沉封装半导体激光阵列堆光纤耦合;7.5 传导热沉封装半导体激光阵列光纤耦合;在直接工业应用的高功率高光束质量半导体激光器方面，通过波长合束技术与偏振合束技术，在输出光束质量不变的情况下，根据合束波长的个数而倍增输出功率。 德国的Laserline公司技术较为领先，采用微通道封装Bar Stack集成获得从数百瓦至万瓦级高功率、高光束质量激光加工系统: 2000 W (BPP:20 mm·mrad)， 4000 W(BPP:30 mm·mrad)， 10000 W (BPP:100 mm·mrad)。;;四、半导体激光器的典型应用;光通信;光信息存储;材料加工;不同熔覆方法的比较;材料加工;泵浦光源;激光医疗及美容;不同波长大功率半导体激光器应用;军事应用：;激光雷达;激光制导;激光测距;激光引信;五、半导体激光器市场及发展;材料加工;用于眼科和???科手术的激光器仍需求强劲，但美容设备激光器销量会衰退，总体呈上升趋势。 ;用于基础研究和军事方面的激光器仍然有适度增长，尤其在中红外对抗测距及激光雷达方面。;主干网和数据中心的光通信需求继续增大，尤其是40G到100G收发器、光纤到户和主动光缆。 在硬盘上使用激光器将容量提升一至两代。;新波长及其应用; 630 ～ 690nm;808 ～ 976nm;;;总 结