合肥工业大学电力电子技术第六讲第二章概述.pptVIP

电 力 电 子 技 术;2.9其它新型电力电子器件 ;2.9.1 集成门极换流晶闸管IGCT;2.9.1 集成门极换流晶闸管IGCT;;; 由MOSFET与晶闸管复合而成的新型双极复合型器件。 每个MCT器件由成千上万的MCT元组成，而每个MCT元又是由1个晶闸管、1个控制MCT导通的MOSFET和1个控制MCT关断的MOSFET组成。 MCT的通态电阻远低于其它场效应器。 MCT既具备功率MOSFET输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快的特性，又兼有晶闸管高电压、大电流、低压降的优点。 其芯片连续电流密度在各种器件中最高，通态压降不过是GTR的1/3，而开关速度则超过GTR。 此外，由于MCT中的MOSFET元能控制MCT芯片的全面积通断，故MCT具有很强的导通di/dt和阻断du/dt 能力，其值高达2000A/μs和2000V/μs。其工作结温亦高达150-200℃，被认为是目前众多的新型功率器件中很有发展前途的器件。;2.9.3 功率模块和功率集成电路;IPM;2.10 电力电子器件的发展趋势;4）高效率电力电子器件的导通压降在不断的改善，降低了导通损耗。同时开通和关断过程的加快，也降低了开关损耗。 以上所述各种电力电子器件一般是由硅半导体材料制成的。除此之外，近年来还出现了一些性能优良的新型化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）和碳化硅（SiC）。由它们作为基础材料制成的电力电子器件正不断涌现。 ;砷化镓材料 砷化镓是一种很有发展前景的半导体材料。与硅相比，砷化镓有两个优点：砷化镓整流元件可在350℃的高温下工作（硅整流元件只能达200℃），具有很好的耐高温特性，有利于模块小型化；砷化镓材料的电子迁移率是硅材料的5倍，因而同容量的器件几何尺寸更小，从而可减小寄生电容，提高开关频率（1MHz以上）。其缺点是正向压降比较大。 砷化镓整流元件已由Motorola公司生产，并应用于制作各种输出电压（12V、24V、36V、48V）的直流电源，用于通信设备和计算机中。;碳化硅材料 碳化硅作为硅和砷化镓的重要补充，不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中实现硅器件难以达到的效果。在额定阻断电压相同的前提下，碳化硅功率开关器件不但通态电阻很低，其工作频率一般也要比硅器件高10倍以上。;由于单极功率器件的通态电阻随其阻断电压的提高而迅速增大，硅材料的Power MOSFET只在电压等级不超过100V时才有开关较大电流的能力，具有较好的性能价格比。如果用碳化硅制造单极性器件，在阻断电压高达10kV的情况下，其通态压降仍然会比硅双极器件低，而单极器件在工作频率等方面相对于双极器件有很多明显的优势。因此，对碳化硅电力电子器件的研究和开发，从一开始就比较集中于肖特基势垒二极管和Power MOSFET这些单极性器件，并首先从肖特基势垒二极管开始了碳化硅电力电子器件的商业应用。德国西门子集团英飞凌公司出售的碳化硅肖特基势垒二极管系列产品已达到300V/20A，600V/12A的水平，除具备没有反向恢复时间等明显优点外，高温特性也非常好。目前，电力电子技术领域的许多公司已在变频或逆变装置中使用这种器件替代硅快恢复二极管，取得提高工作频率、大幅度降低开关损耗的明显效果，其总体效益远远超过碳化硅器件与硅器件之间的价格差异造成的成本升高。 理论分析表明，碳化硅功率器件非常接近理想的功率器件，碳化硅器件的研发将成为未来的一个主要趋势。但在碳化硅材料和功率器件的机理、理论和制造工艺等方面，还有大量问题有待解决。;2.10 电力电子器件的发展趋势;2.11 电力电子器件应用共性问题;1．过电压保护;2．过电流保护;对重要的全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护。 将uR与预先设定的基准Vref进行比较，当uRVref时，比较电路动作，关闭驱动电路的输出信号，可达到过流保护的作用。;2.11.1 电力电子器件的保护;图2-39 di/dt抑制电路、RCD缓冲电路和波形 a)电路 b)uce和ic波形;2.11.1 电力电子器件的保护;2.11.1 电力电子器件的保护;2.11.1 电力电子器件的保护;2.11.2 电力电子器件的散热;图2-40 电力电子器件的功率损耗;SGH60N80UFD;为了保证器件正常工作，必须规定最高允许结温，与最高结温对应的器件耗散功率即是器件的最大允许耗散功率。器件正常工作时不应超过最高结温和功耗的最大允许值，否则，器件特性与参数将要产生变化，甚至导致器件产生永久性的烧坏现象。 管芯温度的高低与器件内部功耗的大小、管芯到外界环境的传热条件(传热机构、