失效分析技术概述.pptVIP

电子元器件失效分析技术Failure Analysis;一、电子元器件失效分析技术;1.1 失效分析的基本概念;;典型的闩锁效应电源对地的I－V曲线;引起漏电和短路失效的主要原因： 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击穿、Si－Al互溶 ;V;引起参数漂移的主要原因： 封装内水汽凝结、介质的离子粘污、欧姆接触退化、金属电迁移、辐射损伤 例： Pad点处无钝化层，有水汽的话，会导致短路，水汽蒸发后又恢复绝缘性，表现为工作时参数不稳定。;失效物理模型： 1、应力－强度模型（适于瞬间失效） 失效原因：应力强度 例如：过电应力（EOS）、静电放电（ESD）、闩锁（Latch up）等。 2、应力－时间模型 （适于缓慢退化） 失效原因：应力的时间积累效应，特性变化超差。 例如：金属电迁移、腐蚀、热疲劳等。;3、温度应力－时间模型 反应速度符合下面的规律;产品平均寿命的估算;1.2失效分析的重要意义;失效分析案例;MESFET端面图;1.3失效分析的一般程序;1.4 收集失效现场数据;1.4.2收集失效现场数据的主要内容 失效环境、失效应力、失效发生期以及失效样品在失效前后的电测试结果。 ;失效环境包括：温度、湿度、电源环境、元器件在电路图上的位置和所受电偏置的情况。 ;1.5以失效分析为目的的电测技术;电子元器件电测失效之间的相关性;电测的重要结论：;1.6无损失效分析技术;表2、X射线透视技术和反射式扫描声学显微术（C－SAM）的比较;C-SAM的工作原理图;典型的C－SAM扫描出的图片;1.7样品制备技术;1.7.1打开封装;去除塑料封装机器(decapsulator);1.7.2 去钝化层技术;2去除钝化层的方法： 化学腐蚀（各向同性） 等离子腐蚀PIE （各向同性） 反应离子刻蚀RIE（各向异性） ;各向同性腐蚀和各向异性腐蚀;1.7.3去除金属化层技术;1.7.4机械剖切面技术;测量结深的抛光染色图片;1.8显微形貌像技术;光学照片与SEM照片对比;1.9基于测量电压效应的失效定位技术;1、某芯片的电压衬度像;2、应用电压衬度像做失效分析实例;1.9.2芯片内部节点的波形测量;机械探针台;EBT测试原理;EBT在线检测的芯片照片;局部放大图片;EBT测试波形;参考信号;1.10基于测量电流效应的失效定位技术;液晶热点检测的特点;1.10.1显微红外热像分析技术;3、显微红外热像仪的应用 主要是功率器件和混合集成电路;10.2 液晶热点检测技术;3、液晶热点检测的关键技术 显微镜在正交偏振光下观察，提高图象对液晶相变的灵敏度 应控制样品温度在临界温度上下反复变化，以便找到合适的工作点 检测时若偏置电压偏高，图象会变模糊，可改用脉冲偏置电压以改善图象质量;灵敏区;10.3 光辐射显微分析（PEM）;3、适用范围： 漏电结、接触尖峰、氧化缺陷、栅针孔、静电放电（ESD）损伤、闩锁效应（Latch up）、热载流子、饱和晶体管及开关管等 4、缺点： 有些光辐射是正常的器件，如饱和晶体管，正偏二极管等。 有些很明显的失效并不产生光辐射，如欧姆型短路等。 还有些缺陷虽产生辐射，但由于在器件的深层或被上层物质遮挡，无法探测。 ;5、优点： 操作简单、方便，可以探测到半导体器件中的多种缺陷和机理引起的退化和失效，尤其在失效定位方面具有准确、直观和重复再现性。 无需制样，非破坏性，不需真空环境，可以方便的施加各种静态和动听过的电应力。 精度：几十PA/um2，定位精度为1微米。 另外还有光谱分析功能，通过对辐射点的特征光谱分析来确定辐射的性质和类型。;;;1.11 电子元器件化学成份分析技术;2 常用电子元器件化学成份分析技术;1.11 电子元器件化学成份分析技术;2 常用电子元器件化学成份分析技术;二、电子元器件主要失效机理与相应的分析技术;2.1、分立半导体器件和集成电路共有的失效部位、机理和分析技术;2.1.1、过电应力（EOS）和静电放电（ESD）损伤的失效分析技术;;EOS和ESD的失效分析方法;2.1.2、封装失效的分析技术;2.1.3、引线键合失效的分析技术;;2.1.4、金属－半导体接触退化;分析方法： 电测法经过一定的计算步骤可获得接触电阻的数值，再对比失效品与良品的数值即可判断接触退化的程度。 背面金相观察，寻找金属化层内表面被腐蚀的情况。 用带有离子溅射枪的俄歇能谱仪或二次离子质谱仪等表面分析仪器，可逐层观察金属－半导体相互扩散以至退化的证据，分辨率和灵敏度较高。;2.1.5、钠离子沾污;判定方法： 做模拟试验，对器件高无反偏，使二氧化硅中的钠离子在电场作用下原理或靠近介质－半导体界面，改变pn结耗尽层宽度并引起反向漏电流的变化，此时测量电特性；然后重