晶体三极管与场效应管概述.ppt

晶体管与场效应管;晶体三极管;三极管的常见外形;三极管的结构;BJT的构造( 以NPN为例 );强化练习1;强化练习2;ic;三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的前提 下，在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现 出来的。 内部结构 BJT的结构特点 外部条件 发射结正偏， 集电结反偏。;共射极NPN放大电路;共射极PNP放大电路;BJT的管脚与类型判别;例题1;共射极NPN放大电路;共射极电路电流的放大;三极管的特性曲线;输入特性曲线;输出特性曲线;截止区(Cut off region);饱和区(Saturation region);条件：发射结正偏， 集电结反偏； 即：UBE ≧UON， UCES UCE VCC 。 特点：集电极电流与基极电 流成正比。即： 因此放大区又称为线性区、恒流区。在放大区UCE变 化时，IC基本不变。这就是晶体管的恒流特性。特性 曲线的均匀间隔反映了晶体管电流放大作用的???力， 间隔大，即△IC大，因而放大能力（β）也大。 ;例题2;练习;例题3;例题3;例题3;例题3;晶体管的主要参数;三极管的检测;三极管的检测;三极管的检测;三极管的检测;场效应晶体管;N沟道增强型绝缘栅场效应管;N沟道增强型管的工作原理;P型硅衬底;当UGS大于一定数值时(UGS UGS(th) 开启电压)，被电场 吸引的少数载流子——电子 在栅极附近的P型硅表面出 一层由自由电子构成的导电 薄层，称为N型薄层，也称 为反型层。它是由UGS感应 产生的，又称为感生沟道。 这就是沟通源区和漏区的N 型导电沟道(与P型衬底间被耗尽层绝缘)。 UGS 正值越高，吸引到P型硅表面的电子就越多，导电 沟道越宽，沟道电阻越小。 ;N沟道增强型管的工作原理;N沟道增强型MOS管的特性曲线;N沟道增强型MOS管的特性曲线;P沟道增强型绝缘栅场效晶体管;N沟道耗尽型MOS管;N沟道耗尽型MOS管;N沟道耗尽型MOS管的特性曲线;P沟道耗尽型MOS管;场效应管的主要参数;场效应管的主要参数;场效晶体管与晶体管的比较