晶体三极管原理应用概述.ppt

;2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号;2.1.1双极型半导体三极管的结构; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;2.1.2 双极型三极管的电流分配与控制; 发射结加正偏时，从发射区将有大量电子向基区扩散，形成发射极电流，与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:;三极管放大的实质; 以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;;2.1.3双极型半导体三极管的电流关系;(2)三极管的电流放大系数;定义: ?=IC /IB=(ICN+ ICBO )/IB 称为共发射极接法直流电流放大系数。于是;2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线; 共发射极接法的供电电路和电压——电流关系如图02.04所示。; 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显 说明内部反馈很小。输入 特性曲线的分区： ; (2)输出特性曲线; 运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与 vCE轴基本平行的区域 ( 这与输入特性曲线随 vCE增大而右移的原因是一致的) 。图02.06 共发射极接法输出特性曲线。; 输出特性曲线可以分为三个区域:;2.1.5 半导体三极管的参数; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，这一关系见图02.08。;; ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。; 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置;; 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不 加区分。; (3) 极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM;②集电极最大允许功率损耗PCM;③反向击穿电压; 1.V(BR)CBO——发射极开路时集电结击穿电压。下标BR代表击??之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 ; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。;晶体管参数与温度的关系; 2.1.6 半导体三极管的型号; 表02.01 双极型三极管的参数