化合物半导体20142015复习题探析.docVIP

1.半导体固溶体 是由两种或两种以上同一类型的半导体材料组成的合金，且一般都是组分连续固溶体。半导体固溶体的组成元素的含量可在固溶度范围内连续变化，其半导体及相关性质也随之变化。 2.等电子杂质 等电子杂质是一种重要的深能级杂质，在半导体光电子器件中往往起着关键作用。例如，在GaP和GaAsP中，V族杂质N 可取代P而成为束缚一个电子的陷阱，V族杂质Bi也可取代P而成为束缚一个空穴的陷阱．这种陷阱都称为等电子陷阱，相应的杂质都称为等电子杂质(因为杂质原子与它所取代的母体原子都具有相同的价电子数)。但并不是任何等电子杂质都可以成为陷阱。而只有那些原子半径很小的杂质可以束缚电子，而原子半径远大于被取代的母体原子的杂质才可以束缚空穴。 3.（生长后的热处理工艺中的）退火 退火处理就是将晶体加热到其固相线以下的某个温度(一般为固相线以下50~100℃)，恒温一段时间后再缓慢地降至室温。之所以进行退火处理是因为晶体生长是一个动态过程，不易保证温度不波动，而温度波动又可造成晶体内成分不均匀，且会引起一定的热应力。 4.分凝系数 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中的浓度分布是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。这种杂质分凝作用的大小常常用所谓的分凝系数k来描述：即k=CS/CL。CS杂质在固相中的浓度，CL杂质在液相中的浓度。 5.共晶反应 （以二元系为例） 二元系内一种3相共存的情况： 6.电子迁移率 电子迁移率是指电子在单位电场作用下的平均漂移速度，即电子在电场作用下运动速度的快慢的量度。半导体晶体中，迁移率直接与电子在晶体中碰撞间的平均自由时间相关，而平均自由时间则取决于各种散射的机制。其中最重要的两个机制为晶格散射及杂质散射。 7.宽带隙半导体材料 室温下禁带宽度大于2.2 eV的半导体。主要用于短波长发光器件、紫外光探测和高温、高功率电子器件。常见的氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它们的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度； 8.本征点缺陷 具有本征点缺陷的晶体，是指那些虽不含有外来杂质，但因其结构并不完善而形成点缺陷的晶体。这类晶体结构的不完善性表现为以下几种情况：(1)晶体中各组分偏离化学计量比；(2)点阵格位上缺少某些原子；(3)在格位间隙的地方存在间隙原子；(4)一类原子占据了另一类原子应该占据的格位。这样就在晶体中相应地形成了空位缺陷、间隙原子缺陷和错位缺陷（反结构缺陷、反位缺陷）等。 9.均匀成核 在相变或晶体生长过程中，新相核的发生和长大称为成核过程。所谓均匀成核，是指晶核在母相区域内各处的成核机率是相同的，而且须要克服相当大的表面能位垒，即须要相当大的过冷度才能成核 10. 非均匀成核 在相变或晶体生长过程中，新相核的发生和长大称为成核过程。在实际的体系中，新相常以某些不均匀的部位作为核心而成长，例如过饱和的水蒸气常以灰尘为核心而凝聚成水滴，这种过程称为非均匀成核 11.体系 指我们所选定的研究对象，你研究什么物质，该物质就称为体系。体系以外与体系有相互作用的一切物质叫环境。例如，当我们研究甲醇水溶液的性质时，可以把一杯甲醇水溶液放在冰浴中，由于溶液是我们研究的对象，则溶液为体系；而烧杯和溶液上面的大气及冰浴，则为环境。 12. 非本征跃迁 当半导体被光照以后，如果光子能量等于禁带宽度，则半导体会吸收光子产生电子-空穴对。如果光子能量小于禁带宽度，则只有在禁带中存在由杂质或缺陷所造成的能态时，光子才会被吸收，这种过程称为非本征跃迁。 13. 相图 根据多相平衡的实验结果，制成几何图形来描述温度、压力、组分的浓度在平衡状态下的变化关系，这种图形就称相图，又叫状态图或平衡图。简单说相图就是表示温度、压力、组分的浓度之间关系的图形，由点、线、面、体构成，以温度、压力、组分的浓度为坐标表示。 14. THM方法、布里奇曼方法、区熔晶体生长方法(zone melting) 15.目前在GaAs工艺中用得最多的施主杂质是什么？为什么？ 16 .SI-GaAs是如何获得的？深能级杂质在提高材料电阻率上是如何起作用的？ 什么是相变驱动力，三种系统的驱动力各是什么？ 17.试用类氢模型来进行估算GaAs晶体中的浅施主和浅受主的电离能Ei。，并根据计算结果说明杂质电离情况. Ei=13.6(1/?2)(m*/m0) 施主电离能EiD＝0.005eV， 受主电离能EiA＝ 0.045eV（0.039） 因此，对n型GaAs。即使在液氮温度(77K)下，其中的施主也将是全电离的。2分 从而一般掺杂浓度的n型GaAs都将是简并的。 18