电力电子器件第四讲概述.pptVIP

1.1 、电力电子器件的基本模型 1.2 、电力二极管 1.3 、晶闸管 1.4 、可关断晶闸管 1.5 、电力晶体管 1.6 、电力场效应晶体管 1.7 、绝缘栅双极型晶体管 1.8 、其它新型电力电子器件 1.9 、电力电子器件的驱动与保护; 1.7 、绝缘栅双极型晶体管 ;1.7.1 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理 1.7.2 缘栅双极型晶体管的 特性与主要参数 ;1.7.1 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理; IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。;1.7.1 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理 1.7.2 缘栅双极型晶体管的 特性与主要参数 ;1.7.2 缘栅双极型晶体管的特性 与主要参数 ; UGEUGE(TH)(开启电压,一般为3～6V) ；其输出电流Ic与驱动电压UGE基本呈线性关系； ;2、IGBT的开关特性 （1）IGBT的开通过程： 从正向阻断状态转换到正向导通的过程。 开通延迟时间td(on) ： IC从10%UCEM到10%ICM所需时间。 电流上升时间tr ： IC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。 开通时间ton ： ton = td(on) + tr;2、IGBT的开关特性 （2）IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ：从UGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到ic下降至90%ICM 电流下降时间：ic从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff：关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2 tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，ic下降较快； tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，ic下降较慢。;（1）最大集射极间电压UCEM： IGBT在关断状态时集电极和发射极之间能承受的最高电压。 （2）通态压降： 是指IGBT在导通状态时集电极和发射极之间的管压降。 （3）集电极电流最大值ICM： IGBT的 IC增大，可至器件发生擎住效应，此时为防止 发生擎住效应，规定的集电极电流最大值ICM。 （4）最大集电极功耗PCM： 正常工作温度下允许的最大功耗 。 ;3、IGBT的主要参数 (5) 安全工作区 正偏安全工作区FBSOA：IGBT在开通时为正向偏置时的安全工作区，如图1.7.5(a)所示。 反偏安全工作区RBSOA：IGBT在关断时为反向偏置时的安全工作区，如图1.7.5 (b) IGBT的导通时间越长，发热越严重，安全工作区越小。 在使用中一般通过选择适当的UCE和栅极驱动电阻控制 ，避免IGBT因 过高而产生擎住效应。; (6) 输入阻抗：IGBT的输入阻抗高，可达109~1011Ω数量级，呈纯电容性，驱动功率小，这些与VDMOS相似。 (7) 最高允许结温TjM：IGBT的最高允许结温TjM为150℃。VDMOS的通态压降随结温升高而显著增加，而IGBT的通态压降在室温和最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性。; 1.1 、电力电子器件的基本模型 1.2 、电力二极管 1.3 、晶闸管 1.4 、可关断晶闸管 1.5 、电力晶体管 1.6 、电力场效应晶体管 1.7 、绝缘栅双极型晶体管 1.8 、其它新型电力电子器件 1.9 、电力电子器件的驱动与保护 ;1.8 、其它新型电力电子器件;1.8.1 静电感应晶体管（SIT）;1、SIT的工作原理 1）结构：SIT为三层结构，其元胞结构图如图1.8.1(a)所示，其三个电极分别为栅极G，漏极D和源极S。其表示符号如图1.8.1 (b)所示。 2）分类：SIT分N沟道、P沟道两种，箭头向外的为N─SIT，箭头向内的为P─SIT。 3）导通、关断：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，两栅极之间的导电沟道使漏极D-S之间的导通。则SIT导通；当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗