第二章氧化概述.pptVIP

第二章 氧 化;2.1 引 言;氧化是硅基集成电路的基础工艺之一 氧化的目的： 在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 ;2.2 氧化原理;氧化系统;氧化过程;氧化物生长速率;氧化物生长曲线;影响二氧化硅生长的因素;常规氧化工艺;常规氧化工艺;氢氧合成氧化工艺; 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 ;在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 4. 陷阱电荷：由辐射产生。;在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其优点： 1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累 2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污;不掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 3×1012～1×1013/cm2 2. 固定电荷密度： 1×1012/cm2 掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 2×1010～1×1011/cm2