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第三章 光辐射探测器 3.1 光辐射探测器的理论基础 ﹡光热效应 ﹡光电效应 引言 一. 概念 光辐射探测技术：把被调制的光信号转换成电信号并将信息提取出来的技术 光探测过程可以形象地称为光频解调。 光电探测器：对各种光辐射进行接收和探测的器件 二. 历史: 1873年: Smith, May: 发现光电效应 Simens: 光电池 1909年：Richtmeyer: 奠定光电管的基础 1933年：Zworkyn: 发明光电摄像管 1950年：Weimer: 制出光导摄像管 1970年： Boyle: 发明CCD 3.1 光辐射探测器的 理论基础 光辐射探测器的物理效应主要是光热效应和光电效应。 应用： 在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。 3.2 光热探测器 3.2.1 热敏电阻 3.3 光电探测器 3.3.1 光电导器件 扩散电流密度 则流过PN结的电流密度为 PN结电流方程为 PN结导电特性： 正向偏置，电流随着电压的增加急剧上升。 反向偏置，电流为反向饱和电流。 热平衡状态 ，I 0 二、光照下的PN结 产生电子-空穴对。 在自建电场作用下， 光电流Iφ的方向与I0相同。 光照下PN结的电流方程为 短路 RL→0 情况,U 0 短路电流为 光照下PN结的两个重要参量: 开路 RL→∞ 情况,I 0开路电压为 3.1.2.4 光电发射效应 光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为光电发射效应，又称外光电效应。 爱因斯坦定律 当hν＝W，对应的光波长为阈值波长或长波限。 金属材料的电子逸出功 W —从费米能级至真空能级的能量差。 半导体材料的电子逸出功 良好的光电发射体，应该具备的基本条件： 光吸收系数大； 光电子逸出深度大 ； 表面势垒低 。 金属光电发射的量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区。 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料 NEA 。 P型Si的光电子需克服的有效亲和势为 由于能级弯曲，使 这样就形成了负电子亲和势。 正电子亲和势材料的阈值波长 负电子亲和势材料的阈值波长 从而光谱响应可扩展到可见、红外区。 3.1.3 光探测器的噪声 光探测器在光照下输出的电流或电压信号是在平均值上下随机起伏，即含有噪声。 用均方噪声 表示噪声值的大小。 噪声的功率谱 表示噪声功率随频率的变化关系。 光探测器中固有噪声主要有：热噪声、散粒噪声、 产生-复合噪声、1/f噪声、 温度噪声。 、热噪声 热噪声存在于任何导体与半导体中，是由于载流子的热运动而引起的随机起伏。 热噪声属于白噪声，降低温度和通带，可减少噪声功率。 二、散粒噪声 在光子发射、电子发射、电子流中存在的随机起伏 。 散粒噪声也属于白噪声。 三、产生-复合噪声 在半导体器件中，载流子不断地产生-复合，使得载流子浓度存在随机起伏。 四、1/f噪声 是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在。 多数器件的1/f噪声在200～300Hz以上已衰减为很低水平。 五、温度噪声 在光热探测器中，由于器件本身吸收和传导等热交换引起的温度起伏。 低频时 也具有白噪声性质。 光电探测器噪声功率谱综合示意图 3.1.4 光探测器的性能参数 一、光电特性和光照特性 光电流I,大小为微安级或毫安级。 光电特性 光照特性 线性度很重要。 二、光谱特性 光谱特性决定于光电器件的材料。 光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义，应尽量使二者的光谱特性匹配。 光电器件的灵敏度（响应率） 光谱灵敏度 积分灵敏度 积分灵敏度不但与探测器有关，而且与采用的光源有关。 三、等效噪声功率和探测率 等效噪声功率 探测器的最小可探测功率 （噪声功率水平） 等效噪声功率越小，说明探测器本身的噪声水平低，探测器的性能越好。 用探测率D作为探测器探测能力的指标: 探测率D表明探测器探测单位入射辐射功率时的信噪比，其值越大越好。 归一化等效噪声功率为 归一化探测率为 在给出 时，常要标记出它们的测量条件 如D* 500K,800,50 。 四、响应时间与频率特性 如同光电导驰豫，光探测器对信号光的响应表现出惰性。 对于矩形光脉冲信号，其响应出现上升沿和下降沿，响应时间τ。 对于正弦型调制光，响应率随频率升高而降低 。 响应时间τ越小，频率特性越好。 由Mn、Ni、Co、Cu氧化物或Ge、Si、InSb等半导体做成的电阻器，其阻值随温度而变化，称为热敏电阻。 当它们吸收了光辐射，温度发生变化，从而引起电阻的阻值相应改变，将引起回路电流或电压的变