半导体磁敏传感器概论.pptVIP

第七章 半导体 磁敏传感器;简 介;7.1.1 霍尔效应;所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (7-3);流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (7-4) ;设;材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即;结论：① 如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得;另外通常还要对其形状效应修正 UH=RH BIf(L/b)/d;7.1.2 霍尔元件的构造及测量电路;1 构 造;霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。;2 测量电路;7.1.3 霍尔元件的技术参数;4.霍尔温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1°C时，霍尔电势变化的百分率。;5.内阻温度系数β 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1°C时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。;霍尔元件的主要技术参数;7.1.4 霍尔元件的测量误差和补偿;几种常用补偿方法;2. 温度误差及补偿;元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系式为：;对上式求温度的导数，可得增量表达式：;即 ：;（2）利用输出回路的负载进行补偿; 在温度影响下，元件输出电阻和电势变为：;当负载电阻比霍尔元件输出电阻大得多时，输出电阻变化对霍尔电压输出的影响很小。在这种情况下，只考虑在输入端进行补偿即可。 若采用恒流源，输入电阻随温度变化而引起的控制电流的变化极小，从而减少了输入端的温度影响。;对于温度系数大的半导体材料常使用。 霍尔输出随温度升高而下降，只要能使控制电流随温度升高而上升，就能进行补偿。例如在输入回路串入热敏电阻，当温度上升时其阻值下降，从而 使控制电流上升。;（b）输出回路补偿 ;（5） 利用补偿电桥进行补偿;常用霍尔传感器GaAs（砷化镓）和lnSb（锑化铟）介绍;③灵敏度低 与Insb霍尔传感器相比灵敏度低。大多数Insb霍尔传感器的输出电压较高，但这类传感器在500高斯左右开始达到饱和。 ④GaAs霍尔传感器的不平衡电压随温度变化较大。 在弱磁场中(10高斯以下)不如InSb霍尔传感器。;;2.Insb霍尔传感器的品质 Insb霍尔传感器与GaAs的特性几乎相反。①不平衡电压稳定性好 Insb霍尔传感器在恒压工作时不平衡电压的稳定性很好，噪音也小，在弱磁场中工作可很好地进行S/N的测量。 ② 霍尔电压的温度稳定性不好 在恒流工作时其温度系数为-2%/℃(最大)，是GaAs的30~40倍。;为了改善Insb霍尔传感器的温度特性，采用恒压工作，可以将温度系数降低近10倍。 ③Insb霍尔传感器的频率特性也不太好(大约在数千赫至数十千赫)。 在理论上GaAs霍尔传感器的频带在兆赫以上，而实际上是达不到的，但无论如何也会有InSb霍尔传感器数十倍以上的带宽。;7.2 集成霍尔传感器;7.2.1 开关型集成霍尔传感器;7.2.2 线性集成霍尔传感器;7.3.1 磁阻效应 当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象。;电阻率的相对变化;7.3.2 磁敏电阻的结构;（a） （b）;图7-14 圆盘形磁阻器件;7.3.3 磁阻元件的主要特性;(b) 电阻变化率特性;2. 电阻 — 温度特性;磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），因为电子—空穴对易于在粗糙表面复合而消失。;+;当磁敏二极管末受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。;当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合速度而减小。;当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向I区偏移，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，电流变大。 ;利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，于是就实现磁电转换。; （三）、磁敏二极管的