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半导体激光器LD概论
半导体激光器 朱守奎 ，马小品 2014年11月7日 ;一、简单介绍;1.受激吸收：在电流或光作用下，价带中的电子获得能量跃迁的导带中，在价带中留下一个空穴，称为受激吸收。这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阈值条件。
2.自发辐射与受激辐射：导带的电子不稳定，向价带跃迁与空穴复合而放出光子——光辐射。如果跃迁是自发的，则光子具有随机的方向、相位及偏振态，称为自发辐射；如果受到入射光子的激励，辐射的光子与入射光子有相同的方向、相位及偏振态，称为受激辐射。;光作用下的跃迁和辐射; 3.激光的产生： 当在半导体中实现粒子数反转，使得受激辐射大于受激吸收，使得光增益大于光损耗，就可产生激光。;;三、半导体激光器的一般构成???
LD的通用结构
构成部分：
1.有源区
有源区是实现粒子数反转分布、有光增益的区域。
2.光反馈装置
在光学谐振腔内提供必要的正反馈以促进激光振荡。
3.频率选择元件
用来选择由光反馈装置决定的所有纵模中的一个模式。
4.光波导
用于对所产生的光波在器件内部进行引导。;LD的结构：;四、几种典型的LD;同质结LD;2.单异质结LD;3.双异质结LD;四.分布反馈式LD;分布反馈式 (DFB) 激光器;
谢谢
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