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单片机原理及应用教程(C语言版)第8章单片机系统扩展接口技术概论
单片机原理及应用教程 (C语言版)第8章 单片机系统扩展接口技术;第8章 单片机系统扩展接口技术; ;8.1 接口的基本概念;8.1.1 单片机应用系统构成;8.1.2 接口的概念;8.1.3 接口的基本功能;8.1.4 接口的结构;8.1.5 端口及其编址; 2.片选
芯片的选择有两种方法:
1)线选法
所谓线选法,就是直接以系统的地址线作为芯片的片选信号,为此只需把用到的地址线与芯片的片选端直接相连即可。
2)译码法
所谓译码法,就是使用地址译码器对系统的片外地址进行译码,以其译码输出作为存储器芯片的片选信号。; 3.芯片内部寄存器的选择
地址总线的低位连接到芯片,由芯片内部的地址译码电路和读写控制逻辑共同完成对芯片内部寄存器的选择。;8.2 用并行方式扩展数据存储器;8.2.1 MCS-51单片机三总线结构;;图8-5 地址总线扩展电路; 74HC573简介
74HC573是有输出三态门的电平允许8位锁存器。引脚信号如下:
OE:输出允许端,为0时芯片有效。
LE:锁存控制端,高电平时,锁存器的数据输出端Q的状态,与数据输入端D相同,即锁存器是透明的;当LE端从高电平返回到低电平时(下降沿后),输入端的数据就被锁存在锁存器中,数据输入端D的变化不再影响Q端。;8.2.2 常用的数据存储器; MCS-51系列单片机的数据存储器与程序存储器的地址空间是互相独立的,其片外数据存储器的空间可达64KB,而片内数据存储器的空间只有128B或256B。如果片内的数据存储器不够用时,则需进行数据存储器的扩展。
在单片机系统,扩展数据存储器多用用静态SRAM芯片。; 1.常用的静态SRAM芯片
常见的静态SRAM芯片有6264(8K×8位)、62256(32K×8位)、628128(128K×8位)等。其中静态SRAM芯片6264如图8-6所示。
6264引脚含义如下:
A0~A12:地址信号引脚。
D0~D7:数据信号引脚。
CE、CS:片选信号引脚,必须同时有效。
WE:写允许信号引脚。
OE:读允许信号引脚。
NC:空脚。;
图8-6 静态SRAM芯片6264; 2.扩展存储器所需芯片数目的确定
1)所选存储器芯片字长与单片机字长一致
所需芯片数目按下式确定:
芯片数目=系统扩展容量/存储器芯片容量
2)所选芯片字长与单片机字长不一致
则需字扩展,所需芯片数目按下式确定:
芯片数目=(系统扩展容量/存储器芯片容量)×
(系统字长/存储器芯片字长);8.2.3 单片机访问片外RAM的操作时序; ;
2.片外RAM写操作时序
写操作时序与读操作时序,基本过程类似。不同之处主要在于在S3状态P2节拍,由单片机通过P0口输出数据。在S4状态,WE 有效后,由片外RAM从总线上读取数据。; ;8.2.4 扩展数据存储器; 下面以静态SRAM芯片6264扩展16KB片外数据存储器为例,介绍一下89C52单片机系统的并行存储器扩展,连线如下图所示。; 根据公式8-1可得:
芯片数目=16KB/8KB=2片。
6264需要13位地址,由P0提供低8位地址,P2.0~P2.4提供高5位地址。P2口空出的口线较多,因此可选用线选法进行片选,两个芯片分别由P2.6、P2.7作为片选。
其地址范围分别为:
10x0,0000,0000,0000B~10x1,1111,1111,1111B、
01x0,0000,0000,0000B~1x1,1111,1111,1111B,
“x”表示可以取0或1,取1,用十六进制数表示为:A000H~BFFFH和6000H~7FFFH。;8.3 简单芯片并行I/O口扩展;8.3.1 扩展I/O口常用的门电路芯片;图8-10 单向缓冲总线驱动器74HC244和
双向缓冲总线驱动器74HC245;8.3.2 简单扩展I/O口举例;
图8-10 使用74HC244和74HC573扩展并口; 程序如下:
unsigned char xdata pt1 _at_ 0x7fff;
//定义设备变量,端口地址是0x7fff,P2.7低电平
void ma
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