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单片机第7章MCS51单片机接口技术1概论
; 在由单片机构成的实际的测控系统中,
通常要在最小系统的基础上根据需求连接相
应的硬件电路。这时单片机内部的资源有可
能不够用,因此在设计时首先要解决系统扩
展问题,如I/O接口的扩展。;;任务6:采用两只LED数码管显示模拟生产线计件;#include reg52.h
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit K1=P3^3;
uchar Count = 0;
uchar DSY_CODE[]=
{
0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f
};
void DelayMS(uint ms)
{
uchar t;
while(ms--) for(t=0;t120;t++);
};;问题的提出
1、可以看到,先从P0口输出3fH这个数据,目的是在共阴数码管上显示“0”这个字符,为什么输出3fH就可以显示“0”呢?别的数据可以吗?
2、按键是如何防抖的?
3、任务中,数码管是接在P0、P2口上的。那如果数码管很多,光P0、P2口肯定接不下,怎么办?;系统扩展概述;1、地址总线
由P2口提供高8位地址,因为P2口具有输出锁存的功能,并且功能比较单一,因此不需地址锁存器。
低8位由P0口提供,P0口是数据、地址分时使用的通道口。为保存地址信息,需外加地址锁存器。一般用单片机的ALE信号控制地址锁存。;2、数据总线
由P0口提供,对外部芯片进行读写时,数据都要通过P0口出入。
3、控制总线
系统扩展时,常用的控制信号有:/EA、ALE、/PSEN、/WR、/RD等等。
EA:内部和外部程序存储器的读写控制信号
ALE:地址锁存允许信号
PSEN:外部程序存储器读信号
WR:外部数据存储器写信号
RD:外部数据存储器的读信号
;/EA: 引脚的电平高低由用户决定(/EA =1:自内而外
地访问ROM; /EA =0:仅访问外部ROM)
ALE: 信号自动产生(晶振频率的1/6)。在访问外部存储器时:ALE高电平期间,P0口→地址信息;在低电平期间,P0口→数据信息。
/PSEN:在用MOVC指令访问外部程序存储器时自动产生(外部程序存储器读信号,从片外程序存储器读取指令或常数时,用于命令外部程序存储器做输出动作,即:存储器输出允许信号)
/RD、/WR:信号在执行MOVX指令时自动产生(“0”电平); 系统扩展的主要方面:
外部程序存储器(ROM)扩展:
外部数据存储器(RAM)的扩展:
外部中断源的扩展:?(已讲过)
I/O接口的扩展:;程序存储器 2864A 的扩展:;1、地址锁存器的使用;OE=0(接地); 除了ALE引脚和74LS373的LE引脚相连使得
地址锁存由单片机的ALE控制外,还要注意单片机读/写控制引脚/RD、/WR与6264相关引脚的连接。;2. 地址范围的确定和片选信号的产生;3、端口的I/O编址;②数据存储器 RAM 的扩展:;数据存储器 6264 的扩展:; 补充例L710:使用 6264SRAM扩展外部数据
存储器。; 为了直接访问外部扩展内存,本例添加了头文件absacc.h,这样可非常方便地通过XBYTE[,index]读/写扩展内存,整个扩展内存可看成一个庞大的字节数组,XBYTE就是这个字节数组的数组名称,或者是整个空间的首字节地址,index则是数组索引或指针偏移值。
; 本例程序首先通过for循环向0x0000地址开始写入200字节(1~200),然后再用for循环将这些数据逆向复制到0x0100地址开始处。第一个for循环对6264执行的是写入操作,第二个for循环则同时执行读与写操作。如果删除/WR引线,数据写入会失败,如果删除/RD连接,6264中的0x0000开始的200字节就无法复制到0x0100处,因为数据无法读取。;外部中断源的扩展:
一般采用外部中断和查询相结合的方法扩展外部中断
;并行I/O口的扩展;扩展I/O接口时应注意的几个问题;片选信号产生方法;G1 G2A G2B;
;I/O口扩展用集成芯片
I/O扩展芯片可分成三种类型:
●TTL电路芯片。通过P0口扩展的主要有各类锁存器及三态缓冲器等,如74LS373、74LS273、74LS367、74LS374、74LS377、74LS244等。通过串行口扩展的有74LS164、74LS165等。
●专用I/O扩展芯片。如8255,可以扩展出3个8位并行口。
●I/O扩展复合芯片。不仅能扩展I/O外,还能扩展其他外围功能电路。如8
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