拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版概论.pptVIP

第二章 作业答案;2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解： ;PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚阈值导电 当| VGS | 0.8V 时，PMOS管工作在截止区，则ID=0 当| VGS | ≥0.8V时， PMOS管工作在饱和区，PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则;2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro 解：本题忽略侧向扩散LD;2.3 导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝L;2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点;2.5 对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假设Vx从0变化到1.5V。 （VDD=3V）;(a)综合以上分析;(b) λ=γ=0, VTH=0.7V;当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区;(C) λ=γ=0, VTH=0.7V;(d) λ=γ=0, VTH=-0.8V;当VX1.9V时，MOS管S与D交换;(e) λ=0,;当VX1.82V时，MOS管工