1西安交通大学_赵进全_模拟电子技术基础_第1章.ppt

1.1.1 PN结的形成;+14;平面结构;+4;+4;本征激发产生电子和空穴;电子空穴成对产生;+4;+4;电子和空穴产生过程动画演示; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;在外电场作用下;电子运动形成电子电流;+4;+4;+4;+4;+4;半导体导电机理动画演示;(1) 在半导体中有两种载流子;2．掺杂半导体 ;+4;+4;多出一个电子;+;N型半导体形成过程动画演示;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。;(2) P型半导体 ;+4;出现了一个空位;+4;-;P型半导体的形成过程动画演示;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。;(1) 在浓度差的作用下，电子从 N区向P区扩散。;(2) 在浓度差的作用下，空穴从 P区向N区扩散。;在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子。;即PN结;形成内电场;PN结一方面阻碍多子的扩散;另一方面加速少子的漂移;势垒U0;当扩散与漂移作用平衡时;PN结形成过程动画演示;当N区和P区的掺杂浓度不等时;1.1.2 PN结的单向导电性;-;内电场被削弱;PN结正偏动画演示;内电场增强;此电流称为反向饱和电流，记为IS。;PN结反偏动画演示;1.1.3 PN结的电压与电流关系;IS —— PN结反向饱和电流;(1) 当u = 0时，i = 0 ；;思 考 题;1.2 半导体二极管;半导体二极管的外型和符号;半导体二极管的类型;1.2.2 半导体二极管的伏安特性 ;(1) 近似呈现为指数曲线，即;(3) 导通后（即uD大于死区电压后）;2．反向特性 ;(2) 当;降低反向电压，二极管仍能正常工作。;a. 齐纳击穿 ;半导体的掺杂浓度低;1.2.3 温度对半导体二极管特性的影响;1.2.4 半导体二极管的主要电参数;4. 反向电流IR;5. 正向电压降UF;二极管的几种常用的模型;(2) 电路模型;(2) 电路模型;(2) 电路模型;思 考 题;1.3 半导体二极管的应用;设;1. 工作原理;b. 当u20时;1.3.2 在检波电路中的应用（无线通信）;检波的过程;1.3.3 限幅电路;ui;输入端电压波形;1.4 特种二极管;1. 硅稳压管的主要电参数;温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即;具有温度补偿的硅稳压管;2. 硅稳压管的等效电路;3. ??稳压管稳压电路;(1) 稳压原理 ;b. RL改变 ;(2) 限流电阻计算;IZ(min)≤IZ≤IZM;UO=UZ ;DZ;由此可得;DZ;由此可得;得;1.4.2 变容二极管;△U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图;这种电容效应用扩散电容CD表征。;(2) 势垒电容CB;PN结变窄;PN结变宽;小结;变容二极管的特点;变容二极管的符号及C－U 特性曲线;2. 变容二极管及其应用示例;由于;思 考 题;电阻量程 ×1 ×10 ×100 ×1k;图中，R0为表头等效内阻。;画出上式所表示的直线。;[例2] 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 ;[解] 判断电路中二极管工作状态的方法 ;对于图 a，经判断知，D1、D2两端的开路电压分别为：;对于图 b，经判断知，D1、D2两端的开路电压分别为;[例3] 电路如图所示, 设D1 、D2 的性能均理想，输入电压uI的变化范围为0~30 V。画出电路的传输特性曲线。;[解] 当D1、D2均导通时;代入有关数据得;故 当uI≤12 V时，D1截止、D2导通。;+;uO~uI关系曲线;[例4] 二极管的伏安特性如图所示，试画出二极管的电路模型。;电流源模型