2_第二讲_单级放大器.pptVIP

模拟CMOS集成电路设计Design of Analog  CMOS Integrated Circuit;第二讲 单 级 放 大 器 ;2.1 共源极放大器 2.2 源跟随器 2.3 共栅极放大器 2.4 共源共栅放大器;研究放大器低频特性，分析大信号、小信 号特性，建立直观的分析方法和模型。 通过模型的近似计算，可以分析大多 数电路的特性！; 基 本 概 念;当X(t)幅度增加，高阶项的作用凸现出来，导致非线性，需进行大信号分析。 2、模拟电路设计的八边形法则;2.1 共源级单级放大器;2.1.1 以电阻为负载的共源级;4）当VinVin1时，M1进入线性区：; 2、小信号分析; MOS管工作在线性区：;2）小信号增益Av MOS管在饱和状态下，电路的输入输出特性：;3）小信号模型;3、漏电流ID、跨导gm随Vin变化的曲线;4、如何提高共源极放大器增益？;（二）考虑沟道长度调制效应;2、小信号分析;（三）晶体管本征增益;2.1.2 以二极管连接为负载的共源级;2、不考虑体效应的二极管阻抗 ;4、以NMOS二极管连接为负载的共源级;5、输入－输出特性曲线;（二）采用PMOS二极管负载;（三）以二极管连接为负载的共源极特点;2、AV为M2、M1过驱动电压之比;（四）改进的PMOS二极管负载;2.1.3 以电流源为负载的共源级;;对于给定漏电流，对于M1而言 若只增加L，则过驱动电压增加，则会限制输出摆幅。 gm1会减小。 实际应用中，对于M1，可以在增大L1的同时，W1可以保持不变，因为本征增益：;对于M2而言，L2增加的同时，可以保持W2不变，可以提高增益，代价是增加|VDS2|来保证M2工作在饱和区，输出摆幅减小。;2.1.4 以工作在线性区的MOS为负载的共源极; 缺点： Ron2对 的依赖。 优点： 消耗的电压余度小于二极管连接的负载，电压输出摆幅大。;2.1.5 带源极负反馈的共源级;等效跨导;在有体效应和沟道长度调制效应的情况下， 确定Gm对增益计算很有用处。;小信号电压增益：;源极通路上的等效电阻;RS≠0的共源级大信号特性;3、考虑体效应和沟道长度调制效应 小信号模型：;（2）等效输出电阻;Av＝Vout/Vin＝－Gm Rout0;通过计算等效跨导Gm、等效输出电阻Rout，可以简便地得出Av。;5、用二极管连接的PMOS作为源极反馈电阻时的小信号增???;;共源极为了获得更高的电压增益，输出阻抗及负载阻抗需大。 以二极管连接为负载的共源极，输入输出呈线性关系。 采用电流源为负载的共源极，通过增加L，可以使增益增加；需同时增加MOS的W，保持过驱动电压不变。 以工作在线性区MOS为负载的共源极，其电压增益与工艺等因素有关，但负载消耗的电压余度小，输出电压摆幅大。 带源极负反馈的共源极，如果RS较大，其增益可以是gm的弱函数，输入输出呈线性关系；输出电阻大。 Av＝－GmRout;2.2 源 跟 随 器 ;共源极放大器要获得高增益，需高负载阻抗，若驱动低阻抗负载时，为了减少信号电平损失，在放大器后置一个“缓冲器” — 源跟随器（共漏极放大器）;1、大信号特性分析： VinVth M1截止，Vout=0 VinVth M1饱和导通， Vin↑ ， Vout ↑且跟随输入信号变化，两者之差为VGS。;2、小信号增益AV ;3、等效输出电阻;4、利用戴维南等效电路求Av;对如下电路：;对于如下电路，用戴维南等效可以方便地求出Av;5、源 跟 随 器 特 性;2.3 共 栅 级 放 大 器;假设Vin从一个较大值开始减小 。 Vin≥Vb-Vth ， M1关断， Vout=VDD VinVb-Vth ，M1 饱和饱和导通 随着Vin 降低，过驱动电压增加，ID增加，Vout降低，Vin较小时 M1 进入 线性区;2、小信号增益（不考虑沟道长度调制效应）;2、输入阻抗（不考虑沟道长度调制效应） 从源端（输入端）看进去的输入阻抗为;3、考虑信号源阻抗，以及沟道长度调制效应时的增益;4、输入阻抗（考虑沟道长度调制效应）;5、输出阻抗（考虑沟道长度调制效应）;2.4 共源共栅级放大器;共源共栅结构： 共源极和共栅级的级联（cascode结构），M1为输入器件，产生和Vin成正比的漏电流；M2为共源共栅器件，使电流流过RD。;2、输入输出特性（大信号分析）;3、小信号分析 （1）增益;（2）输出阻抗;对于右图所示的电路：;4、共源共栅放大器的应用;（2）共源共栅结构的屏蔽特性;5、折