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半导体器件原理 第三章.2
，将其代入少子电流方程，求出 与 ，进而; 1、内建电场的形成; 在实际的缓变基区晶体管中， η = 4 ~ 8 。 ; 由于 ， ，故对电子起加速作用，称为加速场 。; 将基区电场 代入电子电流方程中，可得注入基区的少子电流为：; 根据非均匀材料方块电阻表达式，缓变基区的方块电阻为：; 下面求基区少子分布 nB (x) :;对于均匀基区：; 当 较大时，上式可简化为：;进一步可求得基区输运系数 为：;于是可得缓变基区晶体管的注入效率为：;5、 小电流时 的下降; 当电流很小，即 VBE 很小时， 很大，使 很小，从而 很小。; 6、重掺杂的影响; 发射区禁带变窄后，会使其本征载流子浓度 ni 发生变化：;而先增大。但当 NE 超过 后， 反而下降，;8、异质结晶体管（HBT）
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