工程电磁场第二章.ppt

1;第二章 静电场的基本原理 2.1 库仑定律与电场强度 两个点电荷之间的作用力用下式表示; ε0是真空中的介电常数 电荷量的单位库仑，C 距离的单位米，m 力的单位牛，N ε0的单位是法/米，F/m ;2. 电场强度 电荷在其周围产生电场，产生电场的电荷称为电场的源。 相对于观察者静止的电荷产生的电场，称为静电场。 真空中放置一个点电荷q，在其附近放置一个试验电荷q1。在静电场中的某一点（x, y,z），q1受到的作用力F与q1的电荷量成正比，而作用力F与q1电荷量的比值与试验电荷无关，我们定义表征静电场的基本场矢量电场强度为：;5;3. 分布电荷的电场强度 电场力的叠加原理;线密度;线电荷、面电荷、体电荷产生的电场强度;电荷源在p点产生的电场强度的各分量为;总的电场强度;11;12;13;14;例2-1-2如图所示，真空中圆形线电荷半径为a，均匀带电，电荷线密度为τ，求在其轴线上任一点的电场强度。 解 根据电荷分布的对称性，采用圆柱坐标系。设坐标原点在圆形线电荷的圆心，z轴与线电荷圆心轴线重合。 ;16;17;2. 2电位与静电场的环路定理 1. 电位;电场强度计算公式;体电荷;21;2.电位与电场强度的关系 由电位计算电场强度，是求梯度的运算，也就是求微分的运算;3.静电场环路定理 对电场强度求旋度，可得;对闭合曲线acbda，应用环路定理;4 等电位面与电场强度线 等电位面和电场强度线是对电场的形象表示。等电位面就是由电位相同的点组成的曲面，其方程为; 例2-2-1如图所示，在位于直角坐标系坐标原点的点电荷q所产生的静电场中，求P1 (0,0,1)到P2(0,2,0)的电位差。;2 .3 高斯通量定理 1.高斯通量定理的微分形式 在体电荷情况下，讨论电场强度的散度: ;式中，体积分的被积函数在R=0(即源点与场点重合这一点)之外的区域上全为零。因 此，积分区域可缩小到场点附近的小区域。;高斯通量定理的微分形式;2.高斯通量定理的积分形式 由高斯通量定理的微分形式，利用散度定理可得; 例2-3-1真空中半径为a的均匀带电球，若其电荷体密度为ρ，求球体内外的电场强 度和电位。 解 如图所示，根据电荷分布的对称性，作半径为r的球面S，则在S上电场强度量值处处相等，方向都沿半径方向。根据高斯通量定理;当ra时; 例2-3-2如图所示，真空中，半径为A的大圆球内有一个半径为a的小圆球，两圆球面之间部分充满体密度为ρ的电荷，小圆球内电荷密度为零(空洞)。求小圆球(空洞)内任一点的电场强度。 ;小球内电荷产生的 电场强度为;2. 4电偶极子 1. 电偶极子 所谓电偶极子就是两个相距很近的等量异号电荷组成的整体。设电偶极子两电荷的电荷量分别为q和-q，从负电荷到正电荷的距离矢量为d，则可以用一个矢量来表示电偶极子。这个矢量叫做电偶极矩，记为p，且;R远大于d;37;3.电偶极子的电场强度 在球坐标系中，电偶极子的电场强度;39;2 .5导体和电介质 静电场中的导体 在静电平衡条件下，导体内部电位的梯度为零，导体内部电位各处相等，即导体是一个等电位体，导体表面是一个等位面。导体外表面电场强度只有法向分量，其切向分量为零，即导体外表面上电场强度的方向与外表面垂直。 例2-5-1无限长同轴电缆截面如图所示，内导体半径为R，单位长度所带电荷为τ外导体内半径R2，外半径R3，单位长度所带电荷为- τ 。假定内外导体之间为真空。求各区域的电场强度。;2.静电场中的电介质 与导体不同，电介质中的电荷不能自由运动。这些电荷束缚在分子或原子范围之内，只能作微小的移动，因此叫做束缚电荷。 3.电介质内电偶极子产生的电场 电介质极化后，其内部存在大量按一定规律分布的电偶极子。将电偶极子偶极矩的密度定义为极化强度P,用来表示电介质极化的程度，即;根据矢量恒等式; 因此，电介质内电偶极子产生的电场，可看成是极化电荷产生的电场，且电位和电场强度分别表示为;2. 6电位移矢量 考虑极化电荷的高斯通量定理 极化电荷与自由电荷一样产生电场强度。因此，在有电介质存在的情况下，高斯通量定理应表示为;第一项体积分应用散度定理，并把真空当作一种特殊的电介质，即在真空中，P=0，得;2.电位移矢量 在有电介质存在的情况下，高斯诵量定理可以写成;高斯通量定理微分形式;3.静电场的辅助方程 电位移矢量D与电场强度E有关。P是极化强度，其值在真空中为零，在电介质中与电场强度有关。这里的电场强度是电介质中实际电场强度，是由自由电荷和束缚电荷共同产生的总的电场强度。;对于一般的电介质，辅助方程还应该写成;2. 7静电场的基本方程与分界面条件 1 静电场基本方程的微分形式;3.电介质分界面条件 在不同电