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4-BJT及放大电路基础
4 双极结型三极管及放大电路基础 三极管的不同封装形式 外部条件 发射结正偏,集电结反偏 外部条件 发射结正偏,集电结反偏 电流分配关系 基极电流传输系数?: 集电极电流放大系数?: 小结 4.1 小结 三极管(晶体管,BJT)是电流控制器件 三极管要实现放大作用,必须工作在放大区。 4.1 试题常见类型 三极管基础知识正确性的判断; 三极管工作状态的判断; 由管子的特性求解主要参数(例如给出一个输出特性曲线,求?值)。 例题 1,测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示,分析他们的类型、管脚和所用的材料(硅或锗)。 例4.3.1 一个实际的单管放大电路 (2 模型中的主要参数 补:多级放大器的动态计算 4.2?4.6小结 三种组态基本放大电路的静态工作点估算 三极管的小信号模型 4.2?4.6试题常见类型 1,关于放大器的概念,放大器静态和动态参数物理意义正确性的判断(例如给一个电路,并给出其相关参数计算结果,判断正确性); 2,电子电路是否能放大动态信号的判断; 3,如何用三极管构成放大电路; 4,判断电路属于什么组态; 5,正确画出直流和交流通道,画H参数小信号模型; 6,基本组态放大电路静态工作点、放大倍数、输入电阻、输出电阻计算 7,失真分析及消除办法; 其中 所以 因为 因此 电压增益 输入电阻 Ri= =Rb||rbe1=Rb1||Rb2||rbe1 输出电阻 Ro ?Rc2 电压增益与单级共射电路接近,优点是频带宽。 T1、T2构成复合管(达林顿管 4.6.2 共集-共集放大电路 1. 复合管的主要特性 两只NPN型BJT组成的复合管 两只PNP型BJT组成的复合管 rbe=rbe1+ 1+?1 rbe2 PNP与NPN型BJT组成的复合管 NPN与PNP型BJT组成的复合管 rbe=rbe1 两只管子相复合,类型取决于第一只管子。 2. 共集-共集放大电路的Av、 Ri 、Ro 式中 ?≈?1?2 rbe=rbe1+ 1+?1 rbe2 R?L=Re||RL Ri=Rb|| rbe1+ 1+?1 [rbe2+(1+?2)R?L ] 或: Ri=Rb|| rbe+ 1+? R?L ] 各种电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算 放大电路如图所示。 已知BJT的 ? 40, rbb’ 200? , VBEQ 0.7V, 求: 例题 (1)电压放大倍数 (2)输入电阻Ri,输出电阻Ro (3)若信号源内阻Rs 500 ? ,Av如何变化。 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.4.1 温度对静态工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 1. 基极分压式射极偏置电路 2. 含有双电源的射极偏置电路 3. 含有恒流源的射极偏置电路 4.4.1 温度对静态工作点的影响 回顾4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 1 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。 结果:特性曲线上移,Q点上移,IC增加 1. 温度对BJT参数的影响 2 温度对? 的影响 温度每升高1℃, ? 值约增大0.5%~1%。 结果:输出特性间距加宽,Q点上移,IC增加 3 温度对输入特性的影响 输入特性随温度的增加而左移 结果:IC增加 可见,温度上升时,参数的变化都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加,从而使Q点随温度变化。 要想使ICQ基本稳定不变,就要求在温度升高时,电路能自动地适当减小基极电流IBQ 。 4.4.2 射极偏置电路 (1)稳定工作点原理 目标:温度变化时,使IC维持恒定。 如果温度变化时,b点电位能基本不变,则可实现静态工作点的稳定。 T ? 稳定原理: ? IC? ? IE? ? VE?、VB不变 ? VBE ? ? IB? IC? (反馈控制) 1. 基极分压式射极偏置电路 a 原理电路 b 直流通路 b点电位基本不变的条件: I1 IBQ , 此时, VBQ与温度无关 VBQ VBEQ Re取值越大,反馈控制作用越强 一般取 I1 5~10 IBQ , VBQ 3~5V (2)放大电路指标分析 ①静态工作点 ②电压增益 画小信号等效电路 输出回路: 输入回路: 电压增益: 确定模型参数 ?已知,求rbe 增益 (可作为公式用) ③输入电阻 则输入电阻 放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻 ④输出电阻 输出电阻 求输出电阻的等效电路 网络内独立源置零 负载开路 输出端口加测试电压 其中 则 当 时, 一般 ( ) 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 4.5.2 共基极放大电路 4.5.3 放大电路三种组态的比
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