61电荷耦合器件的基本原理.pptVIP

;CCD背景介绍;电荷耦合器件;CCD的分类;CCD图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。其应用研究成为当今高新技术的主流课题。它的发展推动了广播电视、工业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业的发展。 ; CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的，但与MOS晶 体管的工作原理不同。MOS晶体管是利用在电极下的半导体表面形成的反型层进行工作的，而CCD是利用在电极下SiO2—半导体界面形成的深耗尽层（势阱）进行工作的，属非稳态器件。 ;6.1.1 MOS结构特征;MOS结构 单元－像素;在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。; 势 阱 ; 对于半导体器件，当金属电极加上正电压时，接近半导体表面的空穴被排斥，电子增多，在表面下一定范围内只留下受主离子，形成耗尽区。该区域对电子来说是一个势能很低的区域，也称势阱。加在栅极上的电压愈高，表面势越高，势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 ;;UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层（沟道）。;耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域，若注入电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。表面处构成了对 ;CCD的工作条件：;6.1.2 CCD的势阱深度与电荷的存储 ; 势阱的深度与存储能力都是由表面势所决定。;;简单写成以下形式：;势阱内吸收的光电子数量与入射光势阱附近的光强成正比。一个势阱所吸收集的若干个光生电荷称为一个电荷包。;信号电荷包的传输;6.1.3电荷耦合原理; 当t=t2时，①电极和②电极均加有+10V电压，且两电极靠得很近，这样①电极和②电极下面所形成的势阱就连通，①电极下的部分电荷就流入②电极下的势阱中。 当t=t3时，①电极上的电压已由+10V变为+2V，下面的势阱由深变浅，势 阱内电荷全部移入②电极下的深势阱中。 由上面过程可知，从t1→t3 ，深势阱从①电极下移动到②电极下面，势阱 内的电荷也向右转移了一位。如果不???地改变电极上的电压，就能使信号电荷 可控地一位一位地顺序传输，这就是电荷耦合。