ch3二极管及其基本电路-1.ppt

第三章 二极管及其基本电路; 掌握本征半导体、杂质半导体、PN结等基本概念； 了解PN结的形成过程及半导体二极管的单向导电性； 掌握半导体二极管的伏安特性及其电路的分析方法； 理解稳压管的工作原理. ; 3.1.1 半导体材料;硅的原子结构简化模型; 半导体与金属和许多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成有序的排列，邻近原子之间由共价键联结.价电子受共价键束缚. ; 半导体的共价键结构（二维晶格结构）; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用;2.电子空穴对的产生及复合 ;温度一定时，电子空穴对的产生率和电子空穴对的的复合率 达到一种动态平衡。; 3.1.4 杂质半导体;N型半导体中： 自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成，数目与温度 有关。; 2. P型半导体;P型半导体中： 空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成； 自由电子是少数载流子，由热激发形成,数目与温 度有关。 ;3.2 PN 结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。; PN结的形成过程：;P区; PN结（空间电荷区）内基本没有载流子，故也称为耗尽层（势垒），其电阻率很大。; 3.2.3 PN结的单向导电性; (2) PN结加反向电压时（反偏）截止; PN结加正向电压时，呈现小电阻，流过较大的 正向扩散电流IF； PN结加反向电压时，呈现大电阻，只流过很小的 反向饱和电流IS（ IS≈0）。; (2) PN结的 V-I 特性表达式;3.2.4 PN结的反向击穿现象;PN结的反向击穿;3.3 半导体二极管; 3.3.1 半导体二极管的结构;;(1) 正向特性;;;;半导体二极管图片