ch3外延.ppt

微电子制造工艺概论;本章主要内容;3.1概述——外延概念 ;3.1.2概述——外延工艺种类;同质外延又称均匀外延，是外延层与衬底材料相同的外延。 异质外延也称为非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。B/A（外延层/衬底），如GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。 异质外延的相容性包含： 1. 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量溶解现象； 2.衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 3.衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。;晶格失配率（ lattice mismatch ）;3.1.3 外延工艺用途;3.1.3 外延工艺用途;3.1.3 外延工艺用途;3.1.3 外延工艺用途;3.2 气相外延;外延工艺常用的硅源： 四氯化硅 SiCl4，是应用最广泛，也是研究最多的硅源—主要应用于传统外延工艺； 三氯硅烷 SiHCl3(TCS)，和 SiCl4类似但温度有所降低—常规外延生长； 二氯硅烷SiH2Cl2( DCS) —更低温度，选择外延； 硅烷SiH4，更适应薄外延层和低温生长要求，得到广泛应用； 二硅烷Si2H6，新硅源，适应于低温外延。;3.2.1硅的气相外延工艺;3.2.1硅的气相外延工艺;主要工艺解释： N2预冲洗：清除反应器中原有气体； H2预冲洗：进一步净化反应器的气氛； 加热升温：基座和反应器壁面上吸附的气体解吸； HCl排空：排空反应器内的解析气体； HCl腐蚀：腐蚀性很强的气体，去除反应器壁上吸附的硅等杂质； HCl抛光：将硅基片表面残存的氧化物以及晶格不完整的硅腐蚀去掉，露出新鲜和有完整晶格的硅表面，利于硅外延成核，而且使衬底硅和外延层硅之间键合良好，避免衬底硅表面缺陷向外延层中延伸。;反应剂：SiCl4、SiHCl3、 SiH2Cl2、 SiH4，气态反应剂可稀释后直接通入，而液态反应剂是装在源瓶中，用稀释气体携带进入反应器。 掺杂剂：一般选用含掺杂元素的气态化合物，如磷烷（PH3）、乙硼烷（B2H6 ） 、砷烷（AsH3 ）。 SiH4为反应剂， PH3为掺杂剂： SiH4（H2） ? Si+2H2↑ 2PH3（H2） ? P+6H2↑ SiH4一般只占外延气体的百分之几，目的是为了降低外延速率，使外延过程易于控制，使生长的外延层晶格更加完整； PH3用氢气稀释至10~50倍：易于控制杂质气体的流量；;3.2.1硅的气相外延工艺;SiH4热分解外延 SiH4 → Si+2H2 优势： 反应是不可逆，没卤化物产生，不存在反向腐蚀效应，对反应室也无腐蚀； 外延温度低，一般是650-900 ℃，最低可在600℃完成，减弱了自掺杂和扩散效应。 缺点： SiH4在气相中可自行分解，造成过早核化，对外延层的晶体结构产生重要影响，甚至生成多晶硅； SiH4易氧化形成硅粉，要尽量避免氧化物质和水汽的存在，否则会影响外延层的质量； 缺陷密度高于SiCl4 氢还原法制作外延层； 反应系统要求高。;气相外延：包含外延气相质量传递和表面外延两个过程。;边界层指基座表面垂直于气流方向上，气流速度、反应剂浓度、温度受到扰动的薄气体层。边界层厚度δ与主气流速度v成反比。 外延层的气相质量传递以扩散方式进行， SiH4从主气流区扩散穿越边界层到达硅衬底表面。单位时间内到达衬底单位面积的SiH4从分子数目为 cg，c0分别为主气流区和衬底表面浓度；Dg为扩散系数。 沿气流方向Cg下降，Jg减小，外延层厚度不均匀。 基座表面做成斜坡状，和气流方向呈一定角度，α角一般厚度在3~10°，气流速度增大，边界厚度变薄，解决外延层生长的不均匀性。 ;表面外延过程示意图;3.2.3外延速率的影响因素;3.2.3外延速率的影响因素;质量传递控制 实际外延选此区;硅源对生长速率的影响： 含氯的Si-Cl-H体系：SiCl4、SiHCl3 、SiH2Cl2 ； 无氯的Si-H体系：SiH4(硅烷)、Si2H6(二硅烷)； 硅源不同，外延温度不同，由高到低排序的硅源为：SiCl4（1170 ℃ ）SiHCl3SiH2Cl2SiH4 （900 ℃ ） ；而外延生长速率正相反。 ;3.2.3外延速率的影响因素;3.2.3外延速率的影响因素;3.2.4外延掺杂;在外延过程中，衬底和外延层之间存在杂质交换现象，出现杂质再分布现象： 自掺杂效应 互扩散效应 自掺杂效应（Autodoping）