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武汉理工大学《集成电路专项实践》说明书 PAGE  PAGE \* MERGEFORMAT- 20 - 集成电路专项实践任务书 学生姓名： 廖远 专业班级： 电子1202班 指导教师： 刘金根 工作单位： 信息工程学院 题 目: CMOS倒相器设计 初始条件：计算机、ORCAD、L-EDIT软件 要求完成的主要任务: 1、集成电路专项实践工作量：1周 2、技术要求： （1）学习ORCAD、L-EDIT软件。 （2）设计一个CMOS反相器的电路设计及版图设计电路。 （3）利用ORCAD、L-EDIT软件对该电路进行系统设计、电路设计和版图设计，并进行相应的设计、模拟和仿真工作。 3、查阅至少5篇参考文献。按《武汉理工大学课程设计工作规范》要求撰写设计报告书。全文用A4纸打印，图纸应符合绘图规范。 时间安排： 2015.6.19布置集成电路专项实践任务、选题；讲解集成电路专项实践具体实施计划与课程设计报告格式的要求；集成电路专项实践答疑事项。 2015.6.19-6.20学习ORCAD、L-EDIT软件，查阅相关资料，复习所设计内容的基本理论知识。 2015.6.21-6.25对电路进行设计仿真工作，完成集成电路专项实践报告的撰写。 2015.6.26 提交集成电路专项实践报告，进行答辩。 指导教师签名： 年 月 日 系主任（或责任教师）签名： 年 月 日 目录 摘要 3 绪论 5 1软件介绍及电路原理 6 1.1软件介绍 6 1.2电路原理 6 2原理图绘制 8 3电路仿真 10 3.1瞬态仿真 10 3.2直流仿真 11 4版图设计及验证 12 4.1绘制反相器版图的前期设置 12 4.2绘制反相器版图 13 4.3 DRC验证 15 结束语 17 参考文献 18  摘要 CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。本文将简单的介绍基于ORCAD和L-EDIT的CMOS反相器的电路仿真和版图设计，通过CMOS反相器的电路设计及版图设计过程，我们将了解并熟悉集成电路CAD的一种基本方法和操作过程。 关键词：CMOS倒相器 ORCAD电路设计 L-EDIT版图设计 工艺 Abstract The huge development potential of CMOS technology itself is the foundation of sustainable development of IC high speed. The manufacturing level of development of the integrated circuit to the deep sub micron technology, CMOS low power consumption, high speed and high integration have been fully reflected. In this paper, the circuit simulation and layout design of ORCAD and L-EDIT CMOS inverter based on simple introduction, through the circuit design and layout design process of CMOS inverter, we will understand and a basic method and operation process about IC. Keywords: CMOS inverter layout ORCAD L-EDIT 绪 论 20世纪是IC迅速发展的时代。计算机等信息产业的飞速发展推动了集成电路（Integrated?Circuit—IC）产业。大多数超大规模集成电路（Very?Large?Scale?IC—VLSI）在日常生活中有着广泛的应用。集成电路的应用已深入到科学，工业农业，生活的每一个角落。集成电路的发展迅速，与科学的进步和社会的驱动密不可分。现在集成电路芯片的尺寸越来越小，时钟速度越来越快，电源电压越来越低，布线层数越来越多。所以手工来完成这些工作已经不可能。就必须利用一款和几款软件，由多数人共同完成。。而本文介绍的CMOS反相器就是集成电路中一种最基本的电路结构，我们将使用ORCAD软件画出电路的原理图，并完成功