ESD知识与ESD控制.pptVIP

ESD知识与控制;简 介;一、基本概念;二、静电的产生;二、静电的产生续;三、ESD危害;;静电放电对电子工业的危害：器件损坏的起始电压为700v 器件失效中EOS/ESD失效率占30~40%，而高静电敏感的器件EOS/ESD失效率高达60%以上。 ESD使元器件软击穿。 静电吸附（影响元器件或整机质量）。 影响： 降低洁净度。 降低耐压等级。 ESD电磁辐射引起电磁干扰。 影响： 逻辑电路程序混乱 温升 硬击穿 软击穿 上述危害可能发生在预处理、生产过程、测试、总装、调试、包装、储存、发送、维修、运输各个环节。 实验结果表明：未采取ESD保护的车间，集成电路器件失效率比采取ESD保护车间的器件失效率高5.5倍。;硬损伤：一次性损坏，导致完全失效。（右图）; 案例：美国ATT公司的客户投诉，集成电路的薄膜精确电阻，规定电阻误差值在0.2％。然而??客户实测电阻值高于理想值4－5倍。下图左边的电阻显示清晰的激光亮线，测量电阻值为300R。右边电阻明显有损伤部位，测量阻值为1411R。; 我们未认识到ESD对电子、电气产品的影响，因为它们被以下原因掩盖： （1）把ESD失效分析为瞬态过程电应力而不是静电应力引起的。 （2）把ESD引起的失效错误的归为随机的、未知的初失效、制造的缺陷或其他方面。 （3）只有很少的实验室配备有分析ESD失效所需要的扫描电镜或其他仪器和技术。 （4）认为失效是正常的，因此不是去认识和解决ESD问题，只是简单的采取采购大量备件的方法。 （5）人们认为只是MOS元件生产线和军事上使用的需要静电控制。 （6）许多人认为由二极管、电阻网络或其他保护技术所“保护”的ESDS元件是非ESDS元件。 （7）静电放电失效并不总是暴露在静电场后立即发生的，而有时可能只产生潜在缺陷。 (8) 人通常对3.5KV以下静电放电不易感觉到。器件损坏的起始电压为700V。 ;电子元器件、组件及设备的ESD敏感度等级表;四、ESD控制与防护;四、ESD控制与防护续;四、ESD控制与防护续;ESD防护与点检： 所有仪器接地线串联一个104P 3000V陶瓷电容。 静电胶皮接地扣每3米一个，串联一个电阻1MΩ±20%。 电批接地，点检对地电阻R ≤ 50Ω。 锡线接地，点检对地电阻R ≤ 5Ω。 电源接地，点检对地电阻R ≤ 10Ω，漏电电压U＜0.01V。 烙铁接地，点检对地电阻R ≤ 10Ω，漏电电压U＜0.01V。 静电环每天上线前测试合格后使用。 测试架使用黑色防静电有机玻璃板制作。 明显而严重的静电源远离防静电工作区1米以上，工作区内必须存在的一些静电源远离ESD敏感器件和敏感单板30cm以上。 ISO 控制文件、制程点检文件、ESD知识文件、静电环测试SOP。;四、ESD控制与防护续;四、ESD控制与防护续;四、ESD控制与防护续;四、ESD控制与防护续;四、ESD控制与防护续