模拟电子电路复习(全)绪论.ppt

电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。 2. 输入电阻和输出电阻 1. 放大倍数：输出量与输入量之比 3. 通频带 2.2.2 集成运放的符号及电压传输特性 2.2.4　理想运放的工作区域 2.3 理想运放组成的基本运算电路 —运放线性区虚短虚断应用 同相比例放大器的特例：电压跟随器 方法 利用叠加原理求解： uI2 0时 反相比例电路 输出uo1 uI1 0时 同相比例电路 输出uo2 利用积分运算的基本关系实现不同的功能 3. 几种常用的电压比较器 2.4.2 单限比较器 1. 过零比较器 2. 一般单限比较器 2.4.3 滞回比较器 2. 工作原理及电压传输特性 滞回比较器有两个门限电压UTH1和UTH2，分别称为上门限电压和下门限电压。 两个门限电压之差称为门限宽度或回差电压。 调整R1和R2的大小，可改变比较器的门限宽度。 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出： 三、二极管的主要参数 最大整流电流IF：二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR：允许外加的最大反向电压，手册上给出的最高反向工作电压一般是UBR的一半。 反向电流 IR：在室温下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。 最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。因PN结有电容效应 四、二极管的等效电路 五、基本应用电路 3.3 稳压二极管 三极管的结构特点: IE＝IB＋IC IE－发射区扩散运动形成的电流 IB－基区复合运动形成的电流 IC－集电区收集的电子形成电流 晶体管的三个工作区域 一、电路的组成及各元件的作用 三、基本共射放大电路的波形分析 四、放大电路的组成原则 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数 动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号 对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量 两种实用共射放大电路—直接耦合放大电路 两种实用放大电路—阻容耦合放大电路 一、放大电路的直流通路和交流通路 3. 输入电阻Ri：从输入端看进去的等效电阻 ① 断开Us，忽略rs 4. 输出电阻Ro：从输出端看进去的等效电阻 ① 负载RL开路 ② Us短路，保留rs —晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 1、基本共射放大电路的直流通路和交流通路 基本放大电路的动态分析 2、阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路 练习：求放大电路的静态分析和动态分析 二、静态工作点稳定的典型电路 ——分压偏置共射电路 2. 稳定原理 3、静态分析（Q点） 4. 动态分析 在空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 1 大 Ai β 1＋β α Ri 中 最大 很小 Ro 大 Rc 最小 大 Rc 频带 窄 中 宽 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。这种函数关系称为频率响应或频率特性。频率特性包括幅频特性和相频特性。即有： 二、放大电路中的频率参数 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例） 在栅源间加负电压uGS ，令uDS 0 ①当uGS 0时， 为平衡PN结，导电沟道最宽。 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用举例 （2）漏源电压对沟道的控制作用 漏源电压对沟道的控制作用举例 P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道结型场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。（请大家自学） （a）当uGS＞0V时 →纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥 →耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞ UGS th ，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT 2V， uGS 4V） 开启电压UGS th ： 是MOS增强型管的参数，刚刚产生沟 道所需的栅源电压UGS。 场效应管的方程 记住不同种类用的公式 练习：求Au Ri Ro 1 差动放大电路一般有两个输入端： 双端输入：从两输入端同时加信号 单端输入：仅从一个输入端对地加信号 1.静态工作点的计算 差动放大器共有四种输入输出方式: 1. 双端输入、双端输出（双入双出） 2. 双端输入、单端输出（双入单出） 3. 单端输入、双端输出（单入双出） 4. 单端输入、单端输出（单入单出） 主要讨论的问题有： 1.差模电压放大倍数、共模电压放大倍数 2.差模输入电阻 3.输出电阻 3.