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soc工艺课件 ch8物理气相淀积
微电子制造工艺概论;8.1PVD概述
8.2真空系统及真空的获得
8.3真空蒸镀
8.4溅射
8.5PVD金属及化合物薄膜;物理气相淀积(Physical vapor deposition,PVD)是利用某种物理过程实现物质转移,将原子或分子由(靶)源气相转移到衬底表面形成薄膜的过程。
淀积方法:
真空蒸镀:在高真空环境加热原材料使之气化,源气相转移到衬底,在衬底表面凝结形成薄膜的工艺方法。
溅射:在一定的真空环境下电离气体,使之形成等离子体,带正电的气体离子轰击靶阴极,逸溅出的靶原子等粒子气相转移到衬底表面形成薄膜的工艺方法。
PVD常用来制备金属薄膜:如Al, Au, Pt, Cu,合金及多层金属。;8.2真空系统及真空的获得 ;阀门;8.2.1真空系统简介;8.2.2真空的获得方法;旋转叶片机械泵主要由定子、转子、旋片、定盖、弹簧等零件组成。
其结构是利用偏心地装在定子腔内的转子和转子槽内滑动的借助弹簧???力和离心力紧贴在定子内壁的两块旋片。
两个旋片把转子、定子内腔和定盖所围成的月牙型空间分隔成A、B、C三个部分,不断地进行着吸气、压缩、排气过程,从而达到连续抽气的目的。
机械泵是初级真空设备,入口的极限真空度可达0.1Pa。;扩散泵
高、超高真空度的获得通常实在初级泵气体入口串接次级泵,常用的次级泵是扩散泵,压缩比可达108 。
油扩散泵主要由泵体、扩散喷嘴、蒸气导管、油锅、加热器、扩散器、冷却系统和喷射喷嘴等部分组成。
原理:通过加热使扩散泵油挥发,蒸汽流碰到水冷的泵体后凝结回流的过程中携带气体分子到达泵体底部,之后被初泵抽走。;涡轮分子泵
1958年,联邦德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵。
原理:利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子,使气体产生定向流动而抽气的真空泵。
涡轮分子泵主要由泵体、带叶片的转子(即动叶轮)、静叶轮和驱动系统等组成。
动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度(一般为150~400米/秒)。具有这样的高速度才能使气体分子与动叶片相碰撞后改变随机散射的特性而作定向运动。压缩比可达109 。;8.2.3真空度的测量;真空蒸镀又称真空蒸发,将装有衬底的真空室抽吸至高真空度,加热原材料使其升华,形成源蒸汽流入射到衬底表面,在衬底凝结形成固态薄膜的一种工艺。
三个基本过程:蒸发过程→气相输运过程→成膜过程;
优点:
设备简单,操作容易;
所制备的薄膜纯度较高,厚度控制较精确,成膜速率快;
生长机理简单;
缺点:
所形成的薄膜与衬底附着力较小;
工艺重复性不够理想;
台阶覆盖能力差;
;蒸发过程:蒸发源原子从液(固)表面溢成为蒸汽原子的过程;
蒸汽压:指在液(固)表面存在该物质的蒸汽,这些蒸汽对液(固)表面产生的压强就是该液(固)体的蒸汽压。
平衡(饱和)蒸汽压:一定的温度下,与同种物质的液态(或固态)处于平衡状态的蒸汽所产生的压强叫饱和蒸汽压。;蒸镀真空示意图;气象输运过程:源蒸汽从源到衬底表面之间的质量输运过程。
分子平均自由程:粒子两次碰撞之间飞行的平均距离。
其中,d为原子的半径;
真空室的真空度越高,蒸汽原子的平均自由程就越大。
假设衬底到表面的距离为L,为避免从源到衬底表面蒸汽原子因碰撞被散射或能量降低,分子的平均自由程应大于L。
蒸镀时必须保持室内真空度足够高,使从源溢出的原子以直线形式到达衬底表面。
蒸发速率与蒸发源材料、蒸发温度、蒸发源与衬底的几何空间位置、表面的清洁程度、加热方式等因素有关。 ;成膜过程:到达衬底的蒸发原子在衬底表面先成核再成膜的过程。
成核:蒸发原子到达衬底表面的附着原子由于扩散运动,在表面移动,如果碰上其它原子便凝结成团,当原子团达到临界大小时就趋于稳定。成核最容易发生在表面应力高的结点位置。
成膜:随着蒸汽原子的进一步淀积,岛状成核原子团不断扩大,直至延展至连续薄膜。
真空蒸镀所淀积的薄膜一般是多晶态或无定型薄膜。;8.3.2蒸镀设备;8.3.2蒸镀设备;电阻加热器
利用电功率使源蒸发,加热材料制成螺旋式(丝状源)、锥形篮式(颗粒状源)、舟式(粉末状源)、坩埚式等式样。
电阻加热材料要求:熔点要高;饱和蒸气压要低;化学稳定性好;被蒸发材料与加热材料间应有润湿性(面/点蒸发)。
出现最早,工艺简单;但有加热器污染,薄膜台阶覆盖差,难镀高熔点金属问题。;8.3.2蒸镀设备——电感加热器;电子束(EB)加热
利用电子在电场作用下,获得动能轰击处于阳极的蒸发材料,使其加热汽化。
优点:电子蒸镀相对于电阻加热蒸镀杂质少,去除了加热器带来的玷污;可蒸发高熔点金属;热效率高;
缺点:电子束蒸镀薄膜有辐射损伤,即薄膜电子由高激发态回到基态产生的;设备复杂,价格昂贵。;(a)单源蒸发法;8.3.3蒸镀工艺;8.3.4蒸镀薄膜的质量及控制;蒸镀的真空度
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