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半导体表面精加工技术研究现状 摘要：半导体材料从被发现之初就主要应用于电子信息及光伏产业中，而硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业和光伏产业中应用最多的半导体材料，本文主要集成电路用硅和太阳能级硅的角度出发，集中讨论硅材料的表面精加工技术的发展现状，国内外在该领域最新的研究成果以及未来的发展趋势。 关键字：半导体； 表面精加工； 化学机械抛光 A study of the semiconductor surface finishing technology research status Abstract: At the beginning, semiconductor material was found to be mainly used in electronic information and photovoltaic industry. Because of rich resources, the characteristics of high quality, constant progress of technology and comprehensive advantage in a wide range of uses, the silicon material has become the most used semiconductor material in the modern electronic industry and photovoltaic industry. This paper focuses on the present development situation of silicon surface finishing technology from the perspective of IC silicon and silicon of solar energy level, and the latest research results and future development trend in this field at home and abroad. Key words: semiconductor; Surface finish; Chemical mechanical polishing 0 引言 第一代半导体材料主要以硅、锗半导体材料为主，20世纪50年代，锗在半导体中占主导地位，主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中，但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代以后逐渐被硅器件所取代。用硅材料制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好。此外，硅由于其含量极其丰富，提纯与结晶方便，二氧化硅薄膜的纯度很高，绝缘性能很好，这使器件的稳定性和可靠性大为提高。因此，硅已成为应用最多的一种半导体材料，半导体95%以上，集成电路的99%都是用硅半导体材料制造的。 20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。第二代半导体材料作为一种性能优良的半导体材料不断向硅提出挑战。砷化镓、磷化铟等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等领域。 现在半导体材料已经发展到了第三代，以宽禁带半导体材料为代表，如碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等等。与第一、二代半导体材料相比，第三带半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场，高的热导率，高的电子饱和速率以及更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。这类宽禁带的半导体材料由于其电子在能带之间的跃迁效率高，并且在跃迁时放出光子的能量高，因此会有较高的光发射效率，光子发射的频率也较高。 从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅和氮化镓半导体材料，其中碳化硅技术最为成熟，而氧化锌、金刚石和氮化铝等宽禁带半导体材料的研究尚属于起步阶段，相信随着研究的不断深入，其应用前景将十分广阔。 半导体材料从被发现之初就主要应用于电子信息及光伏产业中，而半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业和光伏产业中应用最多的半导体材料，本文主要集成电路的角度出发，集中讨论硅材料的表面精加工技术的发展现状，国内外在该领域最新的研究成果以及未来的发展趋势。 1 半导体表面精