晶体缺陷7实际晶体中的位错答案.pptVIP

第7章 实际晶体中的位错;7.1 位错反应;位错反应的两个判据 ;例如，FCC的全位错分解为Shockley分位错：b?b1+b2;?????????????????????????????????????????????????????? 几何条件： ，满足几何条件 能量条件： ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 满足能量条件，反应可以进行。;7.2 实际晶体中的位错;典型晶体结构中单位位错的柏氏矢量;例：f.c.c中，柏氏矢量为 的位错能否分解成单位位错？;不全位错;;;计算铜中全位错的柏氏矢量的长度;面心立方晶体中的位错;FCC：{111}面按ABCABC顺序排列形成;1. 滑移 使任一层(111)晶面滑移1/6112，移至其相邻晶面相应的位置上，该层以上的原子面也滑移同样大小的矢量;2. 抽去一层;3. 插入一层，或相间抽出两侧;形成层错几乎不产生点阵畸变，但破坏晶体对称性和周期性，使电子发生反常衍射效应，使晶体能量升高。由层错引起的能量增量叫层错能。层错能越高，层错出现几率越低。;分位错;在fcc晶体中插入或抽走一层（111）面，就会形成堆垛层错。若插入或抽走的只是一部分，层错与完整晶体边界即所谓“Frank位错”。其柏氏矢量为b=1/3111;插入型Frank分位错（正）;攀移;沿(111)面，使A层以上原子相对于C层作滑移即A→B→C→A→B，若滑移中止在晶体内部，则已滑移区与未滑移区的边界为Shockley分位错。;面心立方晶体中的单位位错; 。;混合型;3）可滑移，不能攀移，即可在具有堆垛层错的{111}面上滑移，引起层错面的扩散或收缩，但不能离开层错面。 4）不能交滑移，因为位错线沿112方向，不是沿两个{111} 面（主滑移面和交滑移面）的交线110方向。;利用四面体和符号表示滑移面、滑移方向和b;;罗-罗向量;不对应的罗-希向量;对应的罗-希向量;希-希向量;在汤普森记号中的所有向量均很容易计算出来。例如在(111)面上柏氏矢量为a/2(-1 1 0)的全位错分解，可简便写为：;扩展位错;a/6[-211]和a/6[-1-12]两个不全位错之间的夹角为60度，它们之间有一斥力，因相斥而分开，中间夹着一片层错，两不全位错加它们中间的层错，便是扩展位错。 两个不全位错之间的宽度d―扩展位错宽度;Ni基(6.7%)超合金中的扩展位错 位错从位于A、B、C处的源出发，沿[110]方向扩展;层错能;层错能与扩展位错宽度的关系; 试证明：fcc中两个肖克利不全位错之间的平衡距离ds可近似地由下式给出： ;;扩展位错的束集;形成束集所需之能量;扩展位错的交滑移：首先束集成螺型位错，交滑移，重新分解为扩展位错;;;在实际晶体中，由于扩展位错的形成，螺位错的交滑移更加困难，必须经束集后才能进行，层错能越低，扩展位错的宽度越大，束集越困难，不易交滑移，因此晶体的变形抗力越大。;金属层错能愈低，扩展位错宽度愈大，束集愈困难，交滑移愈难。反之层错能愈高，易于交滑移。;在 和 面上有两个全位错b1和b2;两个全位错b1和b2发生分解，形成扩展位错;在外力作用下,两个扩展位错向两个滑移面的交线处滑移。两个领先不全位错b12和b21在交线[110]处相遇,发生合成反应： ;FCC晶体中的主要位错;;面心立方晶体中有 ?????????? 位错，其方向为??????????，分解成Shockly不全位错，写出该反应的反应式，并说明该反应成立的理由。;密排六方晶体中的位错;1.抽出一层原子后，上下两部分晶体适当平移1/3[-1 1 0 0];表示柏氏矢量的双锥体;b=;由空位择优凝聚在基面上形成1/2[0001]位错环;由间隙原子择优凝聚在基面上形成1/2[0001]位错环;体心立方晶体中的位错;;两个体心立方晶胞和一组(112)面的位置。Bcc结构的{112}堆垛序为ABCDEFAB……;若两相邻的{112}面沿111方向相对位移a/6111则{112}面的堆垛顺序就发生差错而引起堆垛层错，常见的有以下三种:;如果每层{112}面都相对下层{112}面滑移a/6111则就形成如下的孪晶，相当于FEDCBAFABCDEF即以F为中心成对称关系;(二)抽出一层;如果在CD之间插入DE两层(112)晶面(相当于间隙原子聚集)，则产生如下的堆垛层错。;bcc