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新笫四章根轨迹法资料
第四章 控制系统的根轨迹分析法;4.1 系统根轨迹的基本概念;1948年伊文思根据反馈系统开环和闭环传递函数之间的关系,提出了求解特征方程根的图解方法——根轨迹法。根轨迹法是分析、设计线性定常系统的一种图解方法。
;
二、根轨迹的概念
定义 的某个参数,例如K,由 时,系统的闭环特征根在S平面上的变化 轨迹。
例 已知系统的结构图如下图所示,请绘出 K变化 时的根轨迹。;解:闭环传递函数为
系统特征方程为;有了根轨迹图,可以立即分析系统的各种性能
(1)稳定性 开环增益Kg从零变到无穷时,根轨迹不会越过虚轴进入右半s平面,因此系统对所有的Kg值都是稳定的。
(2)稳态特性 开环系统在坐标原点有一个极点,所以属于一型系统。因此根轨迹的Kg值就是静态速度误差系数。如果给定系统稳态误差要求,则由根轨迹图可以确定闭环极点位置的允许范围。
;(3)动态特性 由图中可见,当0Kg4时,所有闭环极点都位于实轴上,系统为过阻尼系统,单位阶跃响应为非周期过程;当Kg=4时,闭环两个实数极点相重合,系统为临界阻尼系统,单位阶跃仍为非周期过程,但响应速度较0Kg4的情况快;;当Kg4时,闭环极点为复数极点,系统为欠阻尼系统,单位阶跃响应为阻尼震荡过程,且超调量将会随Kg值的增大而加大。
;由上述分析表明:
根轨迹与系统性能之间有着
比较密切的关系。
; 一般而言,绘制根轨迹时的可变参量可以是系统的任意参量。但最常用的可变参量是系统的开环传递系数Kg(也称为根轨迹增益)。
Kg——常规根轨迹
Kg以外的参数——参量根轨迹
以上二阶系统的根轨迹可以用解析法来求得,但对于高阶系统来说,解析法就不适用了,工程上常采用图解的方法来绘制。;4.2 绘制根轨迹的基本条件和基本规则
本节重点: 掌握根轨迹的绘制方法
本节难点:根轨迹的出射角和入射角,以及根轨迹和虚轴的交点
;一、根轨迹的幅值条件和相角条件
一般的闭环系统结构框图如图所示,其特征方程为
其开环传递函数
由等式两边幅值和相角分别相等的条件可得
;
上两式???别称为根轨迹的
幅值条件
相角条件。;在S平面上的任一点,凡能满足以上幅值和相角条件的,就是系统特征方程的根,就必定在根轨迹上。
;开环传递函数通常又可以写为
其中 ——开环传递系数,根轨迹增益。
——开环零点、极点
即
其中 ——开环零点到S的矢量角
——开环极点到S的矢量角;例 已知开环系统的传递函数如下式,设 为该闭环系统的一个极点,
求其对应的传递系数 。式中 为开环有限零点; 为开环
极点。
解:
在上图,各相角必满足
再按幅值条件求得该点的根轨迹传递系数;二、根轨迹绘制法则
1.连续性
2.对称性
对称性:对称于实轴,因特征根为实数或为共轭复数,根轨迹必然对 称于实轴。
;3. 起点 (Kg =0)和终点(Kg = ∞)
当Kg =0 闭环系统特征根即由开环系统特征方程式决定,即闭环极点也就是开环极点,根轨迹从开环极点出发。
开环零点(有限,无限)为根轨迹终点。设N(s)为m阶,有m个有限开环零点,还有n-m个无限零点。
;4 .根轨迹数
条数:开环极点数n,有n条根轨迹。
;5.实轴上的根轨迹
在S平面实轴上的线段存在根轨迹的条件是:线段右侧开环零点(有限零点)和开环极点数之和为奇数。;例4-2
设开环传递函数为
连续性、对称性、条数、起点、终点、实轴上的根轨迹。;
6.分离点和会合点
分离点:根轨迹相遇后又分开的点。
分离角:离开分离点角度。
会合点:根轨迹相会合的点。
会合角:进入分离点的角度。
一般来说,两个开环极点之间会有一个分离点,两个有限开环零点之间会有一个会合点。
计算分离点和会合点的依据:
求出的重根要代入原方程,只有当Kg为正,才是分离点和会合点。;设闭环特征方程为
;24;例 已知系统的开环传递函数如下所示,请求出根轨迹的分离点和会合点。
解:系统有一个开环零点为-1,有两个开环极点分别为-0.1和-0.5。
根据根轨迹绘制原则可知,根轨迹与实轴相重合的区间为
[-0.1~-0.5],[-1~∞]。
求根轨迹的分离点和会合点:
;求对应分离点、会合点的Kg:
;7.渐近线
(1)渐近线条数: n-m条,根轨迹
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