电子线路基础(梁明理)第1章.ppt

电子线路基础;第1章 基本半导体器件 1.1 PN结;1. 价电子：原子外层轨道上的电子。 2．共价键：两个相邻原子共有的一对价电子。 3．本征半导体：纯净且呈现晶体结构的半导体，叫本征半导体。; 1．自由电子：获得足够能量，以克服共价键束缚的价电子。 2．空穴：价电子脱离共价键束缚成为自由电子后在共价键中留下的空位。 ; 在常温下，由于热能的激发，产生自由电子和空穴对的现象，叫本征激发。温度一定，自由电子和空穴对的浓度也一定。由于本征激发而在本征半导体中存在一定浓度的自由电子（带负电荷）和空穴（带正电荷）对，故其具有导电能力，但其导电能力有限。 ;（1）Ｎ(Negtive)型半导体： 在硅或锗本征半导体中掺入适量的五价元素（如磷），则磷原子与其周围相邻的四个硅或锗原子之间形成共价键后，还多出一个自由电子参与导电。结果，自由电子成为多数载流子(称多子)，空穴成为少数载流子(称少子)。 ;（2）P(Positive)型半导体： 在硅或锗本征半导体中，摻入适量的三价元素（如硼），则硼原子与周围的四个硅或锗原子形成共价键后，还留有一个空穴。结果，空穴成为多子，自由电子成为少子。这种主要依靠多子空穴导电的杂质半导体，叫P型半导体。 ; 无外电场作用时，本征半导体和杂质半导体对外均呈现电中性，其内部无电流。 在杂质半导体中，多子浓度取决于掺杂浓度；少子浓度取决于温度。 掺杂的目的不是提高导电能力，而是得到多种半导体特性，满足实际需要 。 ; 1. PN结中载流子的运动 （1）多数载流子的扩散运动：在交界面两侧,电子和空穴的浓度差很大， P区中的多子空穴向N区扩散，在P区一侧留下杂质负离子,在N区一侧集中正电荷；同时，N区中的多子自由电子向P区扩散，在N区一侧留下杂质正离子，在P区一侧集中负电荷。; 扩散的结果，在P型和N型半导体交界面处形成空间电荷区，空间电荷区无载流子停留，故称为耗尽层.自建内电场（从N区指向P区）。该电场阻止多子扩散运动，又称为阻挡层。但有利于少子运动.;（2）少数载流子的漂移 在内电场的作用下，P区中的少子自由电子向N区漂移，而N区中的少子空穴向P区飘移，使内电场削弱。 ; 扩散与漂移的动态平衡 扩散：多子的运动，产生扩散电流。 漂移：少子的运动，产生漂移电流。 当内电场达到一定值时，多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区不再变化，这个空间电荷区，就称为PN结。 无外电场作用时，PN结内部虽有载流子运动，但无定向电流形成。; 2．PN结的单向导电特性 （1）PN结加正向电压（正偏） 外电场与内电场反方向 → 空间电荷区附近多子与其中离子复合 →空间电荷区变窄 → 多子的扩散运动远大于少子的漂移运动 → 由浓度大的多子扩散形成较大的正向电流 → PN结处于导通状态。 此时，其正向电阻很小，正向压降也很小。 ;（2）PN结加反向电压（反偏） 外电场与内电场同方向 → 使空间电荷区变宽 → 多子扩散运动大大减弱，而少子的漂移运动相对加强， → 由浓度很小的少子漂移形成很小的反向饱和电流IS，PN结处于截止状态。此时，反向电阻很大。 ;;;;;;;二极管的伏安特性;实际二极管的伏安特性;理想二极管的伏安特性;稳定电压：UZ 稳定电流： IZ 动态内阻：rZ 额定功耗： PZ 电压的温度系数：αU ; 使用稳压管组成稳压电路时，需要注意 1. 应反偏连接 2. 稳压管应与负载电阻 并联 3. 必须限制流过稳压管的电流，使其不超过规定值，以免因过热而烧毁管子。 ;二极管参数;二极管应用-限幅;二极管应用-半波整流;二极管应用-全波整流;二极管应用-桥式整流;第1章 基本半导体器件 1.2 二极管;第1章 基本半导体器件 1.2 二极管;第1章 基本半导体器件 1.3双极型三极管;第1章 基本半导体器件 1.3双极型三极管; 三个极： 发射极(e) 基极(b) 集电极(c) 三个区： 发射区 基区 集电区。 两个结： 发射结 集电结。;;; 三极管有电流放大作用的内部条件。 发射区：掺杂浓度大 基 区：很薄，掺杂浓度很小。 集电区：掺杂浓度小，但面积大。 三极管有电流放大作用的外部条件。 1.NPN型三极管：VCVBVE 2.PNP型三极管：VCVBVE 无论何型三极管，其外部工作条件为： 发射结正偏，集电结反偏;;;;;;;第1章 基本半导体器件 1.3双极型三