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第8章 半导体材料;1. 首次报道半导体;;;;;8.1.1 基本理论; （1）因为当有N个相同的自由原子时，每个原子内的电子有相同的分立的能级，它们是N重简并的，当这N个原子逐渐靠近时，原来束缚在单原子中的电子，不能在一个能级上存在（违反泡利不相容原则）从而只能分裂成N个非常靠近的能级（10-22ev），因为能量差甚小，可看成能量连续的区域，称为能带。;（2）电子填空能带的情况;导带;（3）金属、半导体、绝缘体的能带结构;c、半导体：价带是满带，但是禁带宽度较小;当半导体价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于ΔEg，电子可以从价带跃迁到导带上自由运动，传导电子的负电荷。同时在价带中留下一个空的能级位置--空穴,在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。;8.2 半导体材料的分类;8.2.1 元素半导体材料; 元素半导体材料分为本征半导体和杂质半导体 （1）本征半导体 非常纯且缺陷极少的半导体称为本征半导体。本征半导体中导电的电子—空穴对是由热激活导致其共价键破裂而产生的。 本征半导体的导电能力与载流子密度和温度有关。 实践中利用半导体对温度的敏感性而制作出热敏感电阻。;二、本征半导体与杂质半导体;在半导体中，可通过引入杂质产生载流子。掺入杂质后所产生的额外能级处于禁带中间，并对实际半导体的性能起决定性作用。 根据对导电性的影响，杂质态可分为施主杂质和受主杂质，相应地两者所产生的额外能级分别为施主能级和受主能级，并最终引出两种杂质半导体，即n型半导体和P型半导体。;n型：本征半导体中掺入微量高一价的元素杂质原子，多余电子导电 ;p型：本征半导体中掺入微量少一价电子的元素杂质原子，空穴导电 ;n型半导体与p型半导体的能带模型; n型半导体:如Si、Ge中加入P、Sb、Bi、As等 P型半导体: 如Si、Ge中加入B、Al、In、Ga等; p-n结是构成各种半导体器件的基础，其最重要的特性是单向导电性。在同一半导体样品中，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体交界面附近就形成了偶电层结构，称为P－N结。;P-n结的形成 由于P区的多数载流子是空穴， N区多数载流子是电子，这就使 交界面两侧明显地存在着两种 载流子的浓度差。 扩散的结果，使交界面两侧出现了由不能移动的带电离子组成的空间电荷区，因而形成了一个由N区指向P区的电场，称为内电场。随着扩散的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，由于内电场的作用是阻碍多子扩散，促使少子漂移，所以，当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，将形成稳定的空间电荷区，称为P-N结。;当电源正极接P区，负极接N区时，称为给p-n结加正向电压或正向偏置。结果在电路中形成了较大的正向电流。 ;当给pN结加正向电压或正向偏置，由于PN结是高阻区，而P区和N区的电阻很小，所以正向电压几乎全部加在PN结两端。在PN结上产生一个外电场，其方向与内电场相反，在它的推动下，N区的电子要向左边扩散，并与原来空间电荷区的正离子中和。同样，P区的空穴也要向右边扩散，并与原来空间电荷区的负离子中和，使空间电荷区变窄。结果使内电场减弱，破坏了PN结原有的动态平衡。于是扩散运动超过了漂移运动，扩散又继续进行。与此同时，电源不断向P区补充正电荷，向N区补充负电荷，结果在电路中形成了较大的正向电流。而且随着正向电压的增大而增大。;?当给PN结加反向电压或反向偏置。反向电压产生的外加电场的方向与内电场的方向相同，使PN结内电场加强，它把P区的多子（空穴）和N区的多子（自由电子）从PN结附近拉走，使PN结进一步加宽， PN结的电阻增大，打破了PN结原来的平衡，在电场作用下主要是少子形成的漂移电流，称为反向电流。由于在常温下，少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围内变化时，它几乎不随外加电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流。 ;; p-n结的电压、电流关系;p-n结的应用 用作高效率的半导体整流器，在p－n结的基础上发展了晶体管技术。还可以利用n区与p区之间产生的电势差－光电伏特效应发展效率较高的半导体光电池。; 晶体管的类型 按所用半导体材料 根据用途：整流二极管、开关二极管、稳压二极管、检波二极管等。 按照管芯结构: 点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。;整流二极管－利用二极管的单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 将有一定频率的交流电变成极性不变的直流电，实现该功能的器件就是整流器，一般由二极管构成，只是还加入了滤波部分，使直流电更平滑稳定。 开关元件－二极管在