微电子学综合实验指导书(实验1).docVIP

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微电子学综合实验指导书(实验1)

第  PAGE 8 页 共  NUMPAGES 8 页 实验指导书 实验名称:实验一、半导体霍尔效应 学时安排: 4学时 实验类别:验证性 实验要求: 必做 一、实验目的 理解霍尔效应的物理意义; 了解霍尔元件的实际应用; 掌握判断半导体导电类型,学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度、漂移迁移率及霍尔迁移率的实验方法。 二、实验原理 将一块宽为2a,厚为d,长为b的半导体样品,在X方向通以均匀电流IX,Z方向上加有均匀的磁场Bz时(见图1.1所示),则在Y方向上使产生一个电势差,这个电势差为霍尔电势差,用UH表示,这种现象就称为霍尔效应。 图 1.1 与霍尔电势对应的电场,叫做霍尔电场,用EY表示,其大小与电流密度JX和所加磁场强度Bz成正比,可以定义如下形式: EY = RH·BZ·JX (1) 上式中,RH为比例系数,称为霍尔系数。 霍尔效应的物理意义可做如下解释:半导体中的电流是载流子(电子或空穴)的定向动动引起的,一人以速度υx运动的载流子,将受到沦仑兹力fB = e υx BZ的作用,使载流子沿虚线方向偏转,如图1.2所示,并最后堆积在与Y轴垂直的两个面上,因而产生静电场EY,此电场对载流子的静电作用力fE=e EY,它与磁场对运动载流子的沦仑兹力fB大小相等,电荷就能无偏离地通过半导体,因而在Y方向上就有一个恒定的电场EY。下面以N型半导体为例: 有 eυx BZ = e EY (2) 电流密度 所以 (3) 将(3)式与(1)式比较,可得: (4) 上式中n为电子的浓度,e 为电子电荷量,其值为e = 1.602 × 10-19C。同理,如果霍尔元件是P型(既载流子为空穴)半导体制成的,则RH =1/(pe),其中p为空穴的浓度。 图 1.2 又因 由(3)式得: (5) KH为霍尔元件灵敏度,单位为V/(A·T) 所以 RH = KH ·d (6) 霍尔系数RH的单位为m3/C(米3/库仑) 如果霍尔元件的灵敏度KH已经测定,就可以用式(5)来测量未知磁场BZ,既有: (7) 由图1.2可以看出,若载流子带正电,则所测出的UH极性为下正上负;若载流子带负电,则所测出的UH极性为上正下负。所以,如果知道磁场方向和工作电流方向,就可以确定载流子的类型。反之,如果知道载流子的类型和工作电流方向,就可以判定磁场的方向。 概据半导体物理性质可知,载流子在半导体中运动时,它将不断地得到散射, RH还必须用半导体物理理论加以适当修正,即 ( 8 ) ( 9 ) 式中为一个偏离1不大的因子,它与半导体的能带结构和散射机理有关,具体地说,对于球形等能面的非简并半导体来说: 长声学波散射时(晶格散射) 电离杂质散射时 对高度简并化的半导体 我们知道,电导率或,式中μN为N型半导体的漂移迁移率。将此式与(8)式比较,可得 如果用μH表示RH ·σ 即 (10) μN叫做霍尔迁移率 所以 (11) 通过实

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