集成电路工艺总复习.ppt

集成电路工艺;考试方式;第一章：绪论;几个时间节点重大发明 1947年发明固体晶体管（肖克莱、巴丁、布拉顿） 1957年第一个硅平面晶体管诞生 1959年发明硅基集成电路（诺伊思、基尔比） ;集成电路时代（20世纪60年代后） 集成电路发展的五个时代 ;集成电路的概念 集成电路是把电阻、电容、二极管、晶体管等多个元器件制作在一个芯片上，并具有一定功能的电路。 集成度 是指每个芯片上的元器件数。 ;7.集成电路制造集成电路制造步骤： Wafer preparation(硅片准备) Wafer fabrication (硅片制造) Wafer test/sort (硅片测试和拣选) Assembly and packaging (装配和封装) Final test(终测) ;8. 集成电路的发展趋势 芯片性能不断提高 芯片可靠性不断提高 芯片成本不断降低;特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度 的标志，代表集成电路的工艺水平。 在CMOS技术中，特征尺寸通常指多晶硅栅的线宽 在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸 ; 摩尔定律： △ IC 的集成度将每一年半翻一番（即每18个 月增长1倍） （由Intel 公司创始人戈登.摩尔提出） ; 晶胞 是组成晶体的最小 重复单元。 ;多晶和单晶;3. 晶向 晶向的表示法;晶面;不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。 例如迁移率，界面态等。;本章习题;本章作 业;第二章 氧 化;2.2 氧化原理;氧化过程;氧化物生长速率;影响二氧化硅生长的因素; 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 ;在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 4. 陷阱电荷：由辐射产生。;在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其优点： 1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累 2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污;氧化消耗硅;选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS （LOCal Oxidation of Silicon）;三种热氧化层质量对比;1. 结构及质量：热生长的比沉积的结构致密， 质量 好。 2. 成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 3. 硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。 ;2.3 SiO2结构、性质和用途;物理性质 ;SiO2的化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 ;SiO2在集成电路中的用途 1. 栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） 2. 场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） 3. 保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） 4. 注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂 （热生长） 5. 垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） 6. 注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） 7. 层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积）;2.5 快速热处理;本 章 习 题（书中第十章）：8、14、18 本 章 作业： 1. 简要描述硅热氧化 （即回答硅热氧化的概念） 2. 列出热生长氧化层在IC制造中的6种用途;第三章 扩 散;3.1 引 言;■ 杂质在硅中的扩散机制;■ 扩散系数 非克（Fick）第一定律： J为扩散粒子流密度、定义为单位时间通过单位面积的粒子数，C是扩散粒子的浓度，D为扩散系数是表征杂质扩散快慢的系数。非克第一定律表达了扩散的本质即浓度差越大，温度越高，扩散就越快。 ;常用扩散杂质 形成P型硅的杂质：B、Ga、Al（Ⅲ族元素） 形成N型硅的杂质：P、As、Sb（Ⅴ族元素） IC制造中常用的杂质： B、 P、As、Sb B：硼、Ga：镓、Al：铝 P：磷、As：砷、Sb：锑 ; ■ 杂质在硅和SiO2中的扩散特征 硅中慢扩散杂质（扩散系数小）： B、 As、Sb 硅中快扩散杂质（扩散系数大）： P、 Ga、Al 在SiO2中扩散系数非常小的杂质： B、 P、As、Sb 在SiO2中扩散系数大的杂质：Ga、Al ;扩散杂质的分布 1. 余误差函数分布（恒定表面源扩散属于此分布）