晶体的生长方法简介.pptVIP

晶体的生长;晶体的一些应用;晶体生长的基本过程;基元在界面的运动;从固相中生长晶体 从溶液中生长晶体 从熔融液中生长晶体 从气相中生长晶体;(1)反应体系的温度要控制得均匀一致，以防止 局部过冷或过热，影响晶体的成核和生长； (2)结晶过程要尽可能地慢，以防止自发成核的 出现，因为一旦出现自发的晶核，就会生成许 多细小品体，阻碍晶体长大； (3)使降温速度与晶体成核、生长速度相配匹， 使晶体生长得均匀、晶体中没有浓度梯度、组 成不偏离化学整比性。;从固相中生长晶体的主要优点在于： 1)可以在不添加组分的情况下较低温进行生长， 即在熔点以下的温度下生长； 2)生长晶体的形状是事先固定的，所以丝、箔等 形状的晶体容易生长出来； 3)取向常常容易得到控制； 4)除脱溶以外的固相生长中，杂质和其他添加组 分的分布在生长前被固定下来，并且不被生长 过程所改变(除稍微被相当慢的扩散所改变外)。;从固相中生长晶体的方法主要有五种;2．利用烧结生长;3．借助多形性转变生长;从溶液中生长单晶; (1) 组分多； (2) 影响晶体生长的因素也比较复杂； (3) 生长周期长。 (4) 低温溶液生长对控温精度要求很高，因为在一定的生长温度(T)下，温度波动(ΔT)的影响主要取决于ΔT／T，在低温下要求ΔT相对地小。对培养高质量的晶体，可容许的温度波动一般不超过百分之几度，甚至是千分之几度。;溶解度曲线;主要途径有： (1)根据溶解度曲线，改变温度。 (2)采取各种方式(如蒸发、电解)移去溶剂．改变溶液成分。 (3)通过化学反应来控制过饱和度。 (4)用亚稳相来控制过饱和度，即利用某些物质的稳定相和亚稳相的溶解度差别，控制一定的温度，使亚稳相不断溶解，稳定相不断生长。 ;1．降温法;降温速度一般取决于以下几个因素： (1)晶体的最大透明生长速度，即在一定条件下不产生宏观缺陷的最大生长速度。 (2)溶解度的温度系数。 (3)溶液的体积V和晶体生长表面积S之比，简称体面比。 一般来说，在生长初期降温速度要慢，到了生长后期可稍快些。掌握规律后，也可按设定程序，实行自动降温。 ;2．流动法（温差法）;循环流动育晶装置;3．蒸发法;4．凝胶法;5．水热法（高压溶液法）;高压反映釜;从熔体中生长晶体;熔体生长法分类;1) 提拉法（Czochralski,Cz）; 这种方法的主要优点是：(a) 在生长过程中，可以方便地观察晶体的生长情况；(b) 晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；(c) 可以方便地使用定向籽晶与“缩颈”工艺，得到完整的籽晶和所需取向的晶体。提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 提拉法中通常采用高温难熔氧化物，如氧化锆、氧化铝等作保温材料，使炉体内呈弱氧化气氛，对坩埚有氧化作用，并容易对熔体造成污杂，在晶体中形成包裹物等缺陷；对于那些反应性较强或熔点极高的材料，难以找到合适的坩埚来盛装它们，就不得不改用其它生长方法。 ;提拉法的改进;2) 坩埚下降法（垂直布里奇曼法，Vertical Bridgman method, VB）;3) 泡生法（Kyropoulos, KY） 该方法的创始人是Kyropoulos，他的论文发表于1926年。这种方法是将一要受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长。为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度??布。也可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚壁接触，这就大大减少了晶体的应力。不过，当晶体与剩余的熔体脱离时，通常会产生较大的热冲击。70年代以后，该方法已较少用于生长同成分熔化的化合物，而多用于含某种过量组分的体系，可认为目前常用的高温溶液顶部籽晶法是该方法的改良和发展。;4. 区熔法（Pfann method, 1952）;气相法生长单晶;