第3章半导体光电检测器件及应用3资料.ppt

光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光谱响应在可见到近红外区中，光电检测中应用多。 为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，即PN结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为它的受光面。 为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极管浅。;（1）光敏二极管的类型;型态;（2）光敏二极管的工作原理;受光窗口;外加反向偏压;（3）伏安特性;（4）光谱特性;（5）温度特性;选择一定厚度的I层，具有高速响应特性。 I层所起的作用: (1)为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。 (2)而I层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。 (3)反偏下，耗尽层较无I层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。;PIN管的最大特点是：频带宽，可达10GHz。 另一特点是：线性输出范围宽。 缺点: 由于I层的存在，管子的输出电流小， 一般多为零点几微安至数微安。;3、雪崩光敏二极管;雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。;在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如图中c点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。;4、光敏二极管阵列 ;5、光敏三极管（光电三极管）;光敏三极管结构和工作原理;NPN光电三极管（3DU型），使用时光电三极管的发射极接电源负极，集电极接电源正极。 光电三极管不受光时，相当于普通三极管基极开路的状态。集电结(基—集结)处于反向偏置，基极电流等于0，因而集电极电流很小，为光电三极管的暗电流。 当光子入射到集电结时，就会被吸收而产生电子—空穴对，处于反向偏置的集电结内建电场使电子漂移到集电极，空穴漂移到基极，形成光生电压，基极电位升高。 如同普通三极管的发射结(基—发结)加上了正向偏置，当基极没有引线时，集电极电流就等于发射极电流。 这样晶体三极管起到电流放大的作用。; 由于光敏三极管基极电流是由光电流供给，因此一般基极不需外接点，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。 光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但线性差 线性差主要是由电流放大倍数?的非线性所致 在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。;集成光电器件;光电三极管伏安特性; 硅光电三极管的光电流在毫安量级，硅光电二极管的光电流在微安量级。 在零偏压时硅光电三极管没有光电流输出，但硅光电二极管有光电流输出。 工作电压较低时输出电流有非线性，硅光电三极管的非线性更严重。（因为放大倍数与工作电压有关） 曲线向上偏斜，间距增大。;光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。 一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。 对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率响应要比锗管好。;光电三极管响应时间与集电极电流Ic的关系;（4）光敏三极管的温度特性 温度特性反映了光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。 温度变化对光电流和暗电流都有影响，对暗电流的影响更大。 对弱光信号检测时，应采取温度补偿措施，否则将会导致输出误差。 光电三极管的光电流和暗电流受温度影响比光电二极管大得多;（5）光敏三极管的应用;6、光电倍增管（PMT）;-800;（2）光电倍增管应用 可用来测量辐射光谱在狭窄波长范围内的辐射功率。