第七章-间歇结晶研究资料.ppt

间歇结晶过程;间歇结晶;间歇操作的结晶过程被广泛应用于 制药过程, 精细化工产品 食品 多产品的生产过程之中. 间歇操作特别是应用于过程比较难的化工系统中.例如,有毒物质,高粘度系统. 在实验中用间歇操作,在一次性实验中可得到较多的信息.因为过程中的所有参数都是随时间而变的. 如果晶体的成长速率比较慢,间歇过程的控制要比连续操作的控制更容易, 间歇操作可生产出分布较窄的晶体产品,如果要求产品的粒度分布窄甚至单一尺寸的颗粒产品,间歇操作应用较适宜的选择. ;原则上讲,结晶器用于连续和间歇操作是没有区别的,和连续操作一样,其结晶器类型可根据其饱和度的产生方法可分为: a.冷却结晶 b.蒸发结晶 c.反应结晶 d.盐析结晶 ;实验室结晶器;间歇蒸发结晶器 加热量可控 蒸发速率可测 可随时取样分析CDS 溶液体积随时间而变 ;间歇冷却结晶器 可研究冷却曲线控制的结晶过程 内部冷却 间歇流化床结晶器 比较准确的测量晶体成长速率 适用于高悬浮密度的过程 晶种较大的过程 ; ;工业间歇结晶器;强制循环真空冷却结晶器带导流筒的真空冷却结晶器;间歇结晶过程分析;间歇过程中的衡算方程; 因为实际的悬浮液体体积可能随时间而变,在计算中如把悬浮液体积转换为全部的结晶器体积，会使建模过程更为容易,我们定义: 即 此方程求解的边界条件: 此方程求解的初始条件:n(L,0) 1.如果加晶种初级成核下的晶体 2.如果没有加晶种,初级成核下的晶体 尺寸分布,一般很难确定 ; 在求解粒数衡算方程中，需要成长速率模型:一般用半经验式 或 ΔC—溶液的过饱和度 　　g—晶体成长速率级别一般为１～２， 　 KG—晶体成长一常数一般是温度和搅拌强度的函　　　 　　　 数 MT—晶体悬浮密度 　　i —成核速率级数一般为０.５～２.５（二次成核） 　 KN—成核速率常数是温度和搅拌强度的函数;质量衡算：溶液的浓度变化为晶体悬浮密度的变化 　 ρc—晶体的密度 一般来说，晶体所占的体积比溶液所占的体积小的很多。在这种假设下，质量衡算方程为： 在半间歇操作的结晶过程的质量衡算中，其加入的质量。可用其加入速率的一个附加项表示 为建立质量衡算与粒数衡算的关系，晶体的悬浮密度还可以表示为： 　α为晶体的形状系数;能量横算 在间歇过程中，很多情况下伴随着能量交换过程，例如，冷却结晶过程，在整个的结晶过程中都涉及到能量的交换 其中的能量交换量可根据能量守恒来计算 更主要的是能量交换速率，这与结晶过程的进行速率相关，因此过程进程的速率是能量衡算中要非常注意的 溶解度是随温度而变化的，这一点在间歇操作中尤为重要。因为，温度的变化进程直接影响到结晶过程的进程，和晶体产品的粒度及其分布，以及晶体的纯度。;粒数、质量、能量衡算得关系;间歇过程的衡算方程求解;在这个方法中涉及到颗粒分布的阶距式，其基本定义： 间歇操作的粒数衡算方程的两边乘Li， 然后积分，根据阶距式的定义可得到： 如果晶体成长速率与晶体尺寸无关 质量衡算方程为 ;上述阶距式方程的初始条件可由过程的初始条件：t = 0，n = n(L,0) 而获得。 上述方程可与成长速率模型，和成核速率模型一起，用数值法求解而得到各阶距的值。（注意：成长速率和成核速率都是过饱和度的函数，一般情况下，过饱和度是随时间而变的。因此直接的数值解还是很难得到。 但是，Tavare（1980）给出了一种方法，能得到分析解） 因此可得到相应时间的平均直径等信息。 也可以根据阶距的值，返回得到粒数密度分布;阶距式方程的分析解;注意：各阶距式的意义， 有：;在时间 t = 0 时，以每立方米结晶器的操作体积计算 加入晶种的个数。 其他的量，如晶体的总长度，总面积，总质量，与最后产品的相应值相比，可以忽略。;对上述方程进行积分，积分区间为t =0，t 这说明，在恒定的过饱和度操作的条件下，在间歇操作中，结晶器内的悬浮密度虽时间增加很快的。所以方程可应用于，冷却结晶，蒸发结晶。同时， 这一结果也会被用于间歇操作的控制之中。;CSD分析和动力学的研究;温度曲线法;过饱和度法;通过测量过饱和度的变化曲线计算成长速率; 如果在测得的过饱和度的消耗曲线的最初部分为一个二次多项式，可 用下式表达 则， 积累晶体尺寸分布法： Misra和White使用积累的晶体尺寸分布的方法计算结晶过程的晶体 成长速率。用积累尺寸分布即表示的粒数衡算方程可表示为： ;N为全部的晶体个数 F为以颗粒个数为基础的积累尺寸分