第3章 双极型三极管及其放大电路.ppt

第三章半导体三极管及其放大电路3.1双极型三极管3.2双极型三极管基本放大电路3.3放大电路的图解分析法3.4放大电路的微变等效电路分析法3.5稳定静态工作点的方法3.6共集电极和共基极电路3.7差分放大电路3.8多级放大电路3.9放大电路的频率响应3.1　双极型三极管(BJT)　　又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。(BipolarJunctionTransistor)三极管的外形如下图所示。　　三极管有两种类型：NPN和PNP型。主要以NPN型为例进行讨论。　三极管的外形3.1.1　三极管的结构与符号　常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。三极管的结构(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)e发射极，b基极，c集电极。平面型(NPN)三极管制作工艺　　在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。　　合金型三极管制作工艺：在N型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与N型锗接触，冷却后形成两个P型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。三极管结构示意图和符号　　(a)NPN型集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极e集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极b3.1.2　三极管的工作原理以NPN型三极管为例讨论三极管中的两个PN结　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用三极管内部结构要求：　　1.发射区高掺杂。　　2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。三极管中载流子运动过程　　1.发射　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。　　2.复合和扩散　电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。　　多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。三极管中载流子的运动三极管中载流子运动过程　　3.收集　集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流Icn。　　其能量来自外接电源VCC。　　另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。三极管中载流子的运动　　三极管的电流分配关系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBOIE=ICn+IBn+IEp　=IEn+IEp　　一般要求ICn在IE中占的比例尽量大。而二者之比称直流电流放大系数，即一般可达0.95~0.99三个极的电流之间满足节点电流定律，即IE=IC+IB代入(1)式，得上式中的后一项常用ICEO表示，ICEO称穿透电流。当ICEOIC时，忽略ICEO，则由上式可得三极管的电流分配关系一组三极管电流关系典型数据1.任何一列电流关系符合IE=IC+IB，IBICIE,ICIE。　　2.当IB有微小变化时，IC较大。说明三极管具有电流放大作用。4.在表的第一列数据中，IE=0时，IC=0.001mA=ICBO，ICBO称为反向饱和电流。在表的第二列数据中，IB=0，IC=0.01mA=ICEO，称为穿透电流。　　根据和的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得故与两个参数之间满足以下关系：+UCE-3.1.3　三极管的特性曲线　　特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。UCE三极管共射特性曲线测试电路输入特性：输出特性：+UCE-+UCE-UBE一、输入特性(1)UCE=0时的输入特性曲线当UCE=0时，基极和发射极之间相当于两个PN结并联。所以，当b、e之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。　　(2)UCE0时的输入特性曲线　　当UCE0时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。UCEUBE，三极管处于放大状态。*特性右移(因集电结开始吸引电子)UCE≥1时的输入特性具有实用意义。　　*UCE≥1V，特性曲线重合。三极管共射特性曲线测试电路　三极管的输入特性二、输出特性NPN三极管的输出特性曲线　　划分三个区：截止区、放大区和饱和区。放大区放大区　　1.截止区　IB≤0的区域。　　两个结都处于反向偏置。　　IB=0时，IC=ICEO。硅管约等于1A，锗管约为几十~几百微安。截止区截止区2.放大区：条件：发射结正偏　　　集电结反偏　　特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。二、输出特性放大区　　集电极电流和基极电流体现放大作用，即放大区放大区对NPN管UBE0，UBC0NPN三极管的输出特性曲线3.饱和区：条件：两个结均正偏