第6章光敏传感器.ppt

第6章 光敏传感器;光敏传感器构成：光源、光学通路、光电元件。 应用： 1、光量变化的非电量； 2、能转换成光量变化的其他非电量。 特点：非接触、响应快、性能可靠。;光敏传感器的测量方法可归纳为四种形式。 ;6.1 概 述;6.1.2 光源（发光器件）;2. 气体放电光源;构成：由半导体PN结构成。 特点：工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。 ;R;可供制作发光二极管的材料见下表：; 发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓曲线有两根，这是因为其材质成分稍有差异而得到不同的峰值波长?p。除峰值波长?p决定发光颜色之外，峰的宽度（用Δ?描述）决定光的色彩纯度，Δ?越小，其光色越纯。;;U/V;4、激光器 激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一。具有高方向性、高单色性、高亮度和高的相干性四个重要特性。激光波长一般从0.15μm到远红外整个光频波段范围。X-射线激光器。;激光器种类繁多，按工作物质分类： 固体激光器（如红宝石激光器） 气体激光器（如氦-氖气体激光器、二氧化碳激光器） 液体激光器（染料激光器）。 半导体激光器（如砷化镓激光器）;6.2.1 外光电效应; ;爱因斯坦光电效应方程： ;6.2.2 内光电效应 当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特效应（光伏效应）。;自由电子所占能带;基于这种效应的光电器件有光敏电阻。;①　结光电效应 光照射PN结时，若h?≧Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。;②侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，光照部分产生电子空穴对，载流子浓度比未受光照部分的大，出现了载流子浓度梯度，引起载流子扩散，如果电子比空穴扩散得快，导致光照部分带正电，未照部分带负电，从而产生电动势，即为侧向光电效应。;6.3.1　光电管及其基本特性 ;;（2）光电管的光照特性 当光电管的阴极和阳极之间所加的电压一定时，光通量与光电流之间的关系。;(3) 光电管的光谱特性 一般光电阴极材料不同的光电管对应不同的红限频率，因此它们可用于不同的光谱范围。 另外，同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同。以GD-4型光电管为例，阴极是用锑铯材料制成，其红限λc=700nm，对可见光范围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源，被应用于各种光电式自动检测仪表中。;对红外光源，常用银氧铯阴极，构成红外探测器。 对紫外光源，常用锑铯阴极和镁镉阴极。;由阴极、次阴极（倍增电极）、阳极组成 阴极由半导体光电材料锑铯做成，次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料形成。次阴极可达30级。通常为12~14级。;;入射光;光电倍增管的电流放大倍数为;一个光子在阴极能够打出的平均电子数叫做光电阴极的灵敏度。 一个光子在阳极上产 生的平均电子数叫光 电倍增管的总灵敏度.;（3）暗电流和本底电流 由于环境温度、热辐射和其它因素的影响，即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。 在其受人眼看不到的宇宙射线的照射后，光电倍增管会有电流信号输出—本底脉冲。;6.4 　内光电效应器件;如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小： ;光敏电阻具有很高的灵敏度、很好的光谱特性、很长的使用寿命、高度的稳定性能、小的体积及工艺简单，故应用广泛。;2. 光敏电阻的主要参数和基本特性;（2）光照特性 用于描述光电流与光照强度之间的关系。;（3）光谱特性;(4) 伏安特性;（5） 频率特性;(6) 温度特性;初制成的光敏电阻，性能不稳定。但在人工加温、光照及加负载情况下，性能可达稳定。光敏电阻在最初的老化过程中，阻值会有变化，但最后达到稳定值后就不再变化。这是光敏电阻的主要优点。 光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下几乎是无限长的。 ;6.4.2 光电池 ;光电池有硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池等。目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池和硒光电池。;1. 光电池的结构和工作原理;图6-8 光电池的工作原理示意图;2.　基本特性;(2) 光照特性;(3) 频率特性;(4) 温度特性 主要描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。;6.4.3 光敏晶体管;P;R;55;2. 光敏三极管;普通三极管;IC;3. 光敏晶体管的主要特性;(2) 伏安特性;