第二章 半导体制造.ppt

半导体制造;2.1 硅制造;2.2 光刻技术;掩模版;2.3 氧化物的生长与去除;氧化物的生长;氧化物去除;2.4 扩散和离子注入;扩散;扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 实验分析表明：浓度分布可由下式表示： 其中，Q：预淀积后硅片表面浅层的杂质原子浓度， D：杂质的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制Q 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。;离子注入;离子注入的特点;离子注入 ;离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 而E0与NT都是可以控制的参数。因此???离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。;2.5 硅淀积和刻蚀;多晶硅淀积;2.6 金属化;2.7 封装