薄膜物理与技术-4薄膜制备中的相关技术资料.ppt

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薄膜物理与技术-4薄膜制备中的相关技术资料

薄膜物理与技术;;4 薄膜制备中的相关技术;4.1 基片 4.1.2 基片的清洗 P115;4.1 基片 4.1.3 超清洁表面 P117 ;4.2 薄膜厚度监控及测量; 由于实际上存在的表面是不平整和不连续的,而且薄膜内部还可能存在着针孔、杂质、晶格缺陷和表面吸附分子等,所以,要严格地定义和精确测量薄膜的厚度实际上是比较困难的。 膜厚的定义应根据测量的方法和目的来决定。又因为几乎所有的薄膜性质都与膜厚有关,因此利用薄膜的性质可用来进行膜厚的测量。但是对于同一薄膜,使用不同的测量方法将得到不同的结果(即不同的厚度值),这一点必须注意到。 ;;;利用石英晶体的压电效应,在将源材料镀到基片的同时,也将其镀到与振荡电路相连的石英片上,根据石英体的谐振频率的变化,来计算膜的厚度。 石英晶体的弹性模量E0和他的质量m0及固有频率之间的关系为: (1) N为与石英片切割方式和尺寸大小相关的比例常数。 沉积物质后, m0增加,谐振频率变化。 (2) 石英晶体谐振频率f 随沉积物质的增加而下降。 由(1)(2), (3) ;设工作面积为S的石英晶体上,沉积有密度 、厚度为d的薄膜,则有 : , (4) 因此,根据测得的频移量,可得到膜厚d, (5) 注(1)由于薄膜密度 一般要略小于相应块体材料的密度,当用块体材料密度代替薄膜材料时,会有误差产生。 (2)对于产生较大的频移量 ,式(3)中 与 之间不再是线性关系,可用下式修正: (6) 特点:简洁灵敏,可以测定金属、半导体和介质膜的厚度,其主要缺点是测试方法属于间接测量法,石英探头在 太大时容易产生电击。;;;电阻法;;电阻法监控膜厚的装置示意图;s;;;电容测量法;如果以强度为I0的光照射具有光吸收性的薄膜, 则其强度衰减可用朗伯定律描述: I= I0 exp(-?d) 式中,d为膜厚,?是吸收系数。 设强度I0光从空气垂直垂直入射到厚度为d的薄膜,透 射光强度为It,则可定义透射系数Tt, Tt= It/ I0;反射系数R,则在第一个界面上反射的光强变为RI0, 通过第一个界面进入样品的光强为 (1-R)I0 由于样品吸收,到达膜厚为d的第二个界面时光强为 (1-R)I0 exp(-?d) 通过第二个界面进入空气的光强为 (1-R)2 I0 exp(-?d) 在第二个界面反射的光 R(1-R)I0 exp(-?d) ,又在样 品内部射向第一个界面,在样品中吸收掉部分,达到第 一个界面又将发生透射和反射,如此多次发生样品内反 射和向样品外的透射。当反射次数很多时,可得到: ;因此,通过测量光强度的变化,利用上式可确定吸收薄膜的 厚度。(已知 和R);光干涉法; 如果两束相干光的

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