半导体物理2013(第五章)资料.ppt

§5.5 陷阱效应 根据间接复合理论，在小注入条件下，能级上的电子数nt是非平衡载流子浓度Δn、Δp的函数，其改变量可写为： 杂质能级上的电子数目变化与非平衡载流子数目有关。 为了方便起见，只考虑非平衡电子浓度△n的影响，得到 §5.5 陷阱效应 研究发现，能产生明显陷阱效应的杂质能级有以下特点： ⒈典型的陷阱对电子和空穴的俘获概率有较大差别，要么是电子陷阱（rn rp），要么是空穴陷阱（rp rn）。 ⒉在半导体中有明显陷阱效应的往往是少数载流子的陷阱。 ⒊最有利于陷阱作用的杂质能级位置与平衡时的费米能级相同。 ⒋陷阱的存在大大增长了从非平衡态到平衡态的弛豫时间，即延长了非平衡载流子的寿命。 §5.6 载流子的扩散运动 当半导体中载流子浓度分布不均匀时，载流子会由浓度高的地方向低浓度处定向运动，称为——载流子的扩散运动，这种定向运动会形成扩散电流密度。 N型均匀掺杂的半导体，一侧用适当波长的光均匀照射材料的一面，现在分析非平衡少数载流子的扩散运动情况（一维情况） （空穴）扩散流密度Sp—单位时间通过单位面积的粒子数。 其中Dp为空穴扩散系数，单位cm2/s，它反映了粒子扩散本领的大小。如果考虑电子的扩散运动，则用电子扩散系数Dn。 即电子扩散流密度为： 非平衡载流子的扩散运动引入的扩散电流密度为： 扩散电流密度 载流子的电荷×扩散流密度 所以一维时： §5.6