第02章晶体缺陷2资料.ppt

第二章 晶体缺陷;第一节 材料的实际晶体结构;一、多晶体结构;一、多晶体结构;二、多晶体的组织与性能：;三、晶体中的缺陷概论;三、晶体中的缺陷概论;第二节 点缺陷;二、点缺陷的形成;三、点缺陷的表示;缺陷方程三原则: 质量守恒, 电荷平衡, 正负离子格点成比例增减。 肖特基缺陷生成：0＝VM,,+ VO·· 弗仑克尔缺陷生成： MM ＝ VM,,+ Mi ·· 非计量氧化物：1/2O2 (g)＝ VM,,+ 2h· + OO 不等价参杂：Li2O＝ 2LiM, + OO + VO·· Li2O+ 1/2O2 (g) ＝ 2LiM, + 2OO + 2h· Nb2O5 ＝ 2NbTi · + 2 e, + 4OO + 1/2O2 (g) ;;;;;五、点缺陷对材料性能的影响;例题一;分子式：Al1.9946 Ni0.005 Cr0.0004 O2.9975) （2）1 －0.005 －0.0002 = 0.9948 0.005NiO0.0002Cr2O30.9948Al2O3 含有0.0025mol氧空位，相当于0.00083mol的Al2O3的氧空位，由于固溶前后体积不变，应该假定掺杂前有 0.00083mol的Al2O3空缺。 ;;第三节 位错 ;???、位错的原子模型;一、位错的原子模型;一、位错的原子模型;二、柏氏矢量 ;二、柏氏矢量 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;四、位错的观察 ;四、位错的观察 ;五 位错的弹性特征 ;(一)位错的应变能;(二)位错与点缺陷的交互作用 ;(三)位错间的交互作用 ;(三)位错间的交互作用 ;(四) 位错的分解与合成;第四节 晶体中的界面 ;一、表面及表面能;表面能的计算;LS = 12 Na * ?/2 = LS / 6 Na ?EA = (0.577 LS) / (a2*Na) 当温度较低时，可忽略表面墒，则上式得出的表面内能既为比表面能? 。 ;一、表面及表面能;二、晶界 ;二、晶界 ;二、晶界 ;二、晶界 ;三、相界面 ;四、晶界的平衡形貌 ;四、晶界的平衡形貌 ;四、晶界的平衡形貌 ;小结