2 MOS器件物理基础.ppt

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2016-07-26 发布于湖北
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2 MOS器件物理基础

第二章 MOS器件物理基础;MOSFET的结构;;;;例：判断制造下列电路的衬底类型;NMOS器件的阈值电压VTH;NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图;NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图;NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT );Qd：沟道电荷密度;I/V特性的推导（2）;线性区的MOSFET（0 VDS VGS－VT）;I/V特性的推导（3）;饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT）;NMOS管VGSVT、VDSVGS-VT时的示意图;NMOS管的电流公式;MOSFET的I/V特性;MOSFET的跨导gm;MOS管饱和的判断条件;MOS模拟开关;NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性;PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性;MOS管的开启电压VT及体效应;MOS管的开启电压VT及体效应;MOS管体效应的Pspice仿真结果;衬底跨导 gmb;MOSFET的沟道调制效应;MOSFET的沟道调制效应;MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果;MOS管跨导gm不同表示法比较;亚阈值导电特性;MOS管亚阈值导电特性的Pspice??真结果;MOS 低频小信号模型;例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);小信号电阻总结（γ＝0）;MOS器件版图;MOS电容器的结构;MOS器件电容;减小MOS器件电容的版图结构;栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线;栅极电阻;完整的MOS小信号模型;NMOS器件的电容--电压特性;例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ）;寄生pnpn效应;自锁产生的条件;Date;消除自锁的几项措施;EBL CMOS;本章基本要求