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2.3模电晶体管
2.3 晶体管BJT;2.3.1 晶体管的结构与类型;三极管的不同封装形式; 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。;2.PNP型;正常放大时外加偏置电压的要求;;发射区：发射载流子
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子 ;2. 电流分配关系;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路;;; iB=f(vBE)? vCE=const.;饱和区：vCE很小，iC?? iB，三极管如同工作于短接状态，一般vCE? vBE，此管压降称为饱和压降。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1) 共射极直流电流放大系数
=（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const.; (3) 共基极直流电流放大系数
=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE ;α与β间的关系：; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM——三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流;(3) 反向击穿电压;讨论;3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。;4,测出电路中晶体管三个电极对地的电位，判断其工作状态。
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