AlN基片薄膜金属化.docVIP

AlN基片的薄膜金属化 高能武　陆吟泉　秦跃利　吴云海 摘要:讨论了AlN基片的薄膜金属化。通过试验，确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明，TiW-Au是AlN的优良金属化体系。AlN材料经激光划片后出现导电物质，经稀盐酸处理可去掉导电物质。 关键词:AlN基片； 薄膜； 金属化 中图分类号:TN451　　文献标识码：B　　文章编号：1001-2028(1999)05-0022-02 　　目前国内的AlN基材制备还处于研究阶段〔1，2〕。电子工业部第43研究所已对AlN基片薄膜混合集成电路进行了初步研制，且能小批量生产AlN基片，但性能和国外产品尚有差距〔3〕。笔者采用的AlN金属化体系已成功地用于大功率开关及功分器等微波器件中。 1　试验 　　采用NiCr-Au、TiW-Au金属化结构对日本京瓷公司的AlN基片进行了金属化，并采用钨碳钢针对金属层进行破坏性定性划痕试验。分别用NaOH、CE－9清洗剂、纯水（16 MΩ*cm，25℃)、铬酸洗液等几种不同清洗剂对AlN基片进行了清洁处理；射频溅射后作附着力试验；激光切割后用稀盐酸处理。 2　结果与讨论 2.1　金属化体系的选择 　　AlN是六方晶纤锌矿结构，密堆间隙中的Al离子半径小，价态高，具有较强的极化作用，使AlN清洁表面的不饱和氮具有较高的化学活性。通常氮因电负性大，电离势高而有很强的共价倾向，即使与低电负性金属反应，也会因负离子负电荷高，离子半径较大而水解。故在一般状态下，氮不易与金属反应。Ti、Ta、W等金属因能与氮形成高晶格能化合物，使其在AlN表面的附着性能很好，退火处理后效果更佳。这是选择TiW-Au作金属化导带的原因。TiW是一种亚稳态结构低生成自由能合金，作为阻挡层、附着层是有利的。Ti-Au、Ti-Al及Ti-N的良好结合保证了体系的稳定及各界面间的附着。TiW与AlN的热特性参数（热膨胀系数、热导率）吻合得非常好，对消除热应力有利。TiW只能作附着层和扩散阻挡层。若需集成电阻，可以采用TaN-TiW-Au结构。文献〔3〕中提到采用NiCr-Au制作AlN基薄膜集成电路，笔者进行了对比试验。 　　(1)NiCr-Au导带　直流磁控溅射NiCr，射频溅射Au。由于AlN表面粗糙，钨碳钢针不能将膜从基片剥落。光刻、电镀、裂片后，用钨碳钢针可从导带断面将NiCr-Au卷起。采用AuSn或AuGe共晶焊后，施加剪切力可将AlN推动，显微观察发现NiCr-Au与基片分离。超声带焊（westbond 7400c焊机）时，可将NiCr-Au从底层拔起。显微观察卷起后的NiCr-Au，有一定的侧腐蚀，这与后工序中稀盐酸处理激光划片后出现的导电相有关。 　　(2)TiW-Au导带　射频磁控溅射TiW，射频溅射Au。溅射后，钨碳钢针附着力试验合格，划片后，也不能从断面剥离。用稀盐酸处理激光切割后的导电相，对常温惰性TiW膜层无影响。电路制作后，若采用适当腐蚀液将Au和TiW腐蚀，基片上留下明显的电路图形印迹，该印迹不与一般的化学溶液反应，可能和Ti与AlN反应生成TiN有关。而在Al2O3基板上，未留下导带图形印迹。经共晶焊、带焊等，未发现TiW与AlN间有附着不良的情况。 2.2　清洗方法的选择 　　用1 000倍显微镜观察，发现清洗剂、时间、温度等对AlN表面的影响很大。几种常用清洗剂对AlN表面的影响如表1所示。 表1　几种常用清洗剂对AlN表面的影响 清洗剂 操作条件 观察结果 纯水 100℃下煮10 min AlN水解，表面变粗糙 常温冲洗 无明显变化 CE-9(1) 10%，100℃下煮10 min AlN水解，表面变粗糙 10%，常温超声清洗 无明显变化 NaOH 水溶液 煮10 min AlN水解很明显， 表面粗糙不平 铬酸洗液 120℃，10 min AlN水解，表面粗糙 90℃，30 min 无明显变化 常温浸泡24 h 无明显变化 　　注：(1)四川力奇化工有限公司产。 　　从表可见，在中性及碱性介质中，加热时，AlN易水解，水解反应可能为： AlN＋2H2O─→AlOOH＋NH3 　　通过对以上几种常用于Al2O3的清洗剂的比较，总结出适合AlN的清洗方法： 　　（1）CE-9 稀释液超声清洗；（2）去离子水(5 MΩ*cm，≥25℃)漂洗；（3）氮气吹干；（4）铬酸洗液加热浸泡或浸泡12 h以上；（5）去离子水(5 MΩ*cm，≥25℃)漂洗，检查基片浸润性；（6）丙酮(AR)超声清洗；（7）乙醇(AR)超声清洗；（8）烘箱烘烤，120℃。 2.3　溅射参数的优化 　　TiW与Au之间的附着性能对溅射参数(气氛、靶基距等)很敏感。Ti是阀金属，易于吸附H2O、O2、N2等气体而生成稳定的化合物或固溶体。界面处的化合