4.晶体中的缺陷和扩散.ppt

第四章 晶体中的缺陷和扩散;2. Frenkel缺陷;3. 杂质原子;4. 色心;二、线缺陷; 常见的面缺陷：晶粒间界、挛晶界、小角晶界和层错等 ;§4.2 热缺陷;由于晶体中出现空位，系统自由能的改变：;达到平衡时;利用Stirling公式，当x很大时，有：;晶体中间隙原子位置的总数：N’形成一个间隙原子所需能量：u2 平衡时晶体中的间隙原子数：n2（设n2 N’）;同理，可求出晶体中Frenkel缺陷的平衡数目为：;二、热缺陷的运动; 或;E2： 间隙原子运动所需克服的势垒 ?20：间隙原子试图越过势垒的频率（间隙原子振动频率）;§4.3 晶体中原子的扩散;扩散过程必须满足连续性方程：;例1： 将一定量N的 扩散物质涂在一半无限大晶体的 一端面上，厚度为?，在温度T下，使其从晶体 表面向内部扩散，求扩散物质在晶体中的分布。;约束条件：;?;例2：一半无限大晶体，若保持扩散物质在晶体一表面 上的浓度n0不变，在一定温度下，经过一段时间 的扩散，求扩散物质在晶体中的分布。;解为：;扩散系数与温度有密切关系，温度越高，扩散就越快。实验发现，若温度变化范围不太宽，那么，扩散系数与温度的关系为;?;二、扩散的微观机制;扩散系数的微观表达式：;空位机制;u1小，E1小，扩散激活能Q低，扩散就越快。; 对于原子的自扩散和晶体中替位式杂质或缺位式杂质的异扩散，一般可以认为是通过空位机制扩散的。;2. 间隙原子机制; 实际上，影响扩散系数的因素很多，如晶体的其他缺陷：位错、层错、晶粒间界等都对扩散过程有影响。而各种影响因素主要都是通过影响扩散激活能Q表现出来的。所以，在研究原子的扩散过程中，扩散激活能是一个非常重要的物理量。;§4.4 离子导电性;以正填隙离子为例;离子越过势垒的频率 ;离子向右运动的漂移速度;—— 离子迁移率;三、离子导电率;—— Einstein关系;固体电解质或快离子导体：具有较高离子导电性的材料。固体电解质的定义范围要宽一些，而快离子导体一般是指在较低温度下（300 oC以下）具有高离子导电性? 10-3 (?cm)-1 的材料。;§4.5 位错;?c理论：103 ~104 kg/cm2;金属滑移机制的假说：; 滑移过程是滑移区不断扩大的过程，而位错线正是滑移区的边界线，所以，滑移过程就表现为位错在滑移面上的运动过程。; 几乎所有晶体中都存在位错，正是由于这些位错的运动导致金属在很低的外加切应力的作用下就出现滑移。因此，晶体中位错的存在是造成金属强度大大低于理论值的最主要原因。;二、位错;Burgers矢量集中反映了位错的特征，并可将位错和其他线缺陷有效地区分开来;2. 位错的滑移;?; 位错的攀移：刃位错垂直于滑移面的运动。;3. 位错的产生与增殖;定义：位错密度;(3) 位错的增殖;b. U型位错源（Frank-Reed源）;在Si单晶中所观察到的Frank－Read源;(4) 位错的观察; 用高分辨电子显微镜可照出晶体中原子的排列情况