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ECRCVD设备镀膜工艺及膜系设计理论讲座;ECRCVD设备的基本原理 膜系设计基本理论 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系 设计好的膜系在ECRCV设备上如何实现;1 ECRCVD设备的基本原理;1.4 设备示意图（未反映水电气系统）。;1.5 设备结构图（未反映水电气系统）。;1.6 重点概念 ;2.1 光在自由空间传播的基本概念和公式: 横波：波的振动方向与传播方向垂直。 光的偏振： 光的振动方向与传播方向的不对称性叫光的偏振。 光的正弦波表示： 自由空间的光程： Δ= nd 光的干涉：两束相干光在迭加区域内，某些区域光强减小，某些区域光强增大的现象。本质上是波的迭加。单色光在空间某点能否形成干涉要看能否形成固定相位差。 ;2.2 光在两种均匀介质界面的传播的基本概念和公式： 入射面：入射光线与入射点处界面法线所构成的平面 入射角：入射光线与入射点??界面法线所构成的夹角 折射定律: n0 sinθ0= n1 sinθ1 S光、P光：偏振光在入射界面按振动分量分解成S光、P光。S光的振动方向垂直与入射面，P光的振动方向平行与入射面，界面对S光和P光有不同的反射率。 ;2.3 光在分层均匀介质薄膜的传播的基本概念和公式: (建立光在薄膜中传播的麦克斯韦方程组，根据边界条件求解，得到干涉矩阵) 折射定律： 光在薄膜中传播的光程差： 薄膜的光学厚度： 薄膜的相位厚度： ; 艾塔参量 S光 ， P光 干涉矩阵（特征矩阵）： 组合导纳： 反射率： η0是入射介质 ; 正入射：入射角为0，即θ0 =0。 反射率极值：正入射情况下，在薄膜的光学厚度 n1d1为 λ/4的整数倍时，反射率R取极值。 （菲涅尔振幅系数公式） 无影响膜层：在正入射下，薄膜的光学厚度 n1d1为 λ/2的整数倍时，特征矩阵为单位矩阵，对膜系没有影响。 ;2.5 周期性λ/4膜系的基本概念和公式 周期性λ/4膜系：膜系结构周期性重复，各层膜的光学厚度均为λ/4，又称规则膜系。 图例 正入射下： ;3 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系;3.3 ???型规则膜系： 3.3.1 R=95% 膜系结构： GaAs|(Si02|SiNx)4|Air R= 3.3.2 R=85% 膜系结构： GaAs|(Si02|SiNx)3|Air R= ;3.3.3 R=30% 膜系结构： GaAs|Si02|Si02|Air R= 3.3.2 R=5% 膜系结构： GaAs|Si02|Air R= ;3.3.4 R=0% 膜系结构： GaAs|SiNx|Si02|Air R= n1= ;4.1 工艺基本过程： 放入工艺气体 微波启动，计时 计时结束，微波停止 4.2 反应方程式: SiO2 SiNx 4.3 折射率和膜厚控制 折射率控制：改变工艺参数，如微波功率、反应气体流量等 膜厚控制： 控制工艺条件和工艺时间 ;