soc工艺课件 ch11刻蚀技术.pptVIP

微电子制造工艺概论;11.1 概述 11.2 湿法刻蚀 11.3 干法刻蚀 11.4 刻蚀技术新进展 ;11.1概述; ;11.1概述;11.2 湿法刻蚀;湿法刻蚀特点： 湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备。 保真度差，腐蚀为各向同性，图形分辨率低。 选择比高，对器件不会带来等离子体的损伤； 均匀性好； 清洁性较差。 通常先利用氧化剂（Si/Al用HNO3）将被刻蚀材料氧化成氧化物（SiO2和Al2O3），再利用另一种溶剂(如Si用HF酸和Al用H3PO4)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。;参数;11.2.1 硅的湿法腐蚀;11.2.2 二氧化硅的湿法腐蚀;11.2.3 氮化硅的湿法腐蚀;11.2.4 铝的湿法腐蚀;11.2.5 铬的湿法腐蚀;11.2 湿法刻蚀;11.2.6 湿法刻蚀设备 ;11.3 干法刻蚀技术;物理性刻蚀：利用辉光放电气体电离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出的过程。包括溅射刻蚀和离子束铣蚀。 溅射刻蚀：利用等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。 离子束铣蚀：利用高能离子束对衬底进行轰击，撞击出衬底原子，形成掩蔽膜图形。 物理刻蚀的特点：各向异性刻蚀，可获得接近垂直的刻蚀轮廓。但刻蚀选择性低。轰击出的物质容易沉积在被刻蚀层表面。;11.3 干法刻蚀技术——化学刻蚀;反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE）是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。 设备特点是被刻蚀衬底放置在功率电极上。RIE是在IC中采用最多的刻蚀方法。 RIE刻蚀特点： 保真度优于化学性刻蚀，但不如物理性刻蚀。 选择比优于物理性刻蚀，但不如化学性刻蚀 RIE刻蚀后在衬底上留有残余损伤。;;干法刻蚀特点： 与湿法腐蚀比较，优点： 保真度好，图形分辨率高； 湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。 清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。 缺点 设备复杂； 选择比不如湿法； ;11.3.1 刻蚀参数;11.3.1 刻蚀参数——刻蚀速率;SR＝Ef/Er ;均匀性：一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系，因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。保持均匀性是保证制造性能一致的关键。难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性。 例如图形密的区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀中速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。 具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢。;刻蚀过程中在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀，增强刻蚀的方向性，从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体和刻蚀生成物结合在一起而形成的。能否形成侧壁聚合物取决于所使用的气体类型。; 多晶硅与多晶硅化物（即多晶硅上覆盖有低电阻金属硅化物）常用作MOS器件的栅极材料。各向异性刻蚀及对栅极氧化层的高选择比是栅极刻蚀时最重要的需求。;Si对SiO2刻蚀选择比要求足够高：1）去除阶梯残留，必须有足够的过渡刻蚀才能避免多晶硅电极间短路的发生；2）多晶硅一般覆盖在很薄的栅极氧化层上，如果氧化层被完全刻蚀，则氧化层下的源极和漏极区域的Si将被快速刻蚀。 选择比的要求：主刻蚀150:1，为了防止栅氧化层的穿通。 过刻蚀250:1，防止多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。;刻蚀气体：传统上采用氟基气体，包括CF4, CF4/O2, SF6, C2F6/O2。;刻蚀气体：氟碳化合物，包括CF4, C2F6 , C2F8 。;氧的作用;氢的作用;11.3.4 氮化硅的干法刻蚀 ;11.3.5 铝及铝合金的干法刻蚀 ;添加气体：BCl3;具有优良的沉积一致性。当金属宽度小于0.5um时，用溅射方法得到的Al无法完美填入接触窗而造成接触阻值较高，甚至无接触。因此，在半导体金属制备中使用CVD法沉积耐热金属填入接触窗，取代部分铝，这种方法称为接触插塞(Contact Plug)或介质窗插塞(Via Plug)。;刻蚀气体：SF6、Ar、O2;11.3.7 干法刻蚀设备 ;11.3.7 干法刻蚀设备 ;11.3.7 干法刻蚀设备 ;为什么要研究高密度等离子体刻蚀： 传统的刻蚀系统(如平板式，圆筒式)在对于0.25um及以下尺寸的几何图形，由于等离子体密度较小，刻蚀基难以进入高深宽比图形并使刻蚀产物从高深宽比图形中出来。限制了刻蚀速率即图形深度。;反应器把微波源和静态磁场联系起来，使电子能量与外加